微电子工艺案,整理好的了.docVIP

1.1.保护器件避免划伤和沾污? 限制带电载流子场区隔离（表面钝化）? 栅氧或存储单元结构中的介质材料? 4.掺杂中的注入掩蔽 5.金属导电层间的电介质? 6.减少表面悬挂键? 2.化学反应：Si+2H2O-SiO2+2H2? 水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更?快、溶解度更高? 3.、1.干氧：Si＋O2 SiO2 氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶 的粘附性好 2、水汽氧化：Si+H2O SiO2（固）+H2(气) 氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差 3、湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应 氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间 4.掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气 5.界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷 6.工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统? 工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管?套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气体通到炉管中来维持炉中气氛?控制系统控制炉子所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速率、装卸硅片... (1)薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。?. （2）.好的台阶覆盖能力?..高的深宽比填隙能力(3:1) 厚度均匀(避免针孔、缺陷）?..高纯度和高密度?..受控的化学剂量? ..结构完整和低应力（?导致衬底变形,? ..好的粘附性????????避免分层、开裂致漏电） 2.（1）晶核形成? 分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。?（2）凝聚成束形成(Si)岛，且岛不断长大?（3）连续成膜岛束汇合并形成固态的连续的薄膜?淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多晶（多晶硅栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的 3.答：..多层金属化：用来连接硅片上高密度器件的金属层和绝缘层?..关键层：线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。? ..对于ULSI集成电路而言，特征尺寸的范围在形成栅的多晶硅、栅氧以及距离硅片表面最近的金属层。?介质层? ..层间介质（ILD）? ILD－1：隔离晶体管和互连金属层；隔离晶体管和表面杂质。?采用低k介质作为层间介质，以减小时间延迟，增加速度。 4.答：膜淀积技术分类?化学方法?（1）CVD? a.APCVD(Atmosphere?Pressure?Chemical?Vapor?Deposition)?b.LPCVD? c.等离子体辅助CVD：HDPCVD(High-Density?Plasma?CVD)、PECVD(Plasma?enhanced?CVD)?d.VPE和金属有机化学气相淀积?(2)电镀：电化学淀积（ECD）、化学镀层?物理方法：?（1）PVD? 蒸发(含MBE)?（3）旋涂(?SOG,?SOD) 5.答：1)?质量传输?2)?薄膜先驱物反应?3)?气体分子扩散?4)?先驱物吸附? 5)?先驱物扩散进衬底?6)?表面反应?7)?副产物解吸?8)?副产物去除 6.答：（1）低k介质须具备? 低泄漏电流、低吸水性、低应力、高附着力、高硬度、?高稳定性、好的填隙能力，便于图形制作和平坦化、耐?酸碱以及低接触电阻。? 研究较多的几种无机低介电常数?（二）高k介质? 应DRAM存储器高密度储能的需要，引入了高?k介质，在相同电容（或储能密度）可以增加?栅介质的物理厚度，避免薄栅介质隧穿和大的?栅漏电流。同时，降低工艺难度。? 有潜力的高k介质：Ta2O5,?(BaSr)TiO3. 7.答：（1）CVD、化学气相淀积（Chemical?Vapor?Deposition）是指利用热?能、辉光放电等离子体或其它形式的能源，使气态物质在固体?的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积，形成稳定的固态?物质的工艺过程。? （2）低压CVD（LPCVD）装片；?炉子恒温并对反应室抽真空到1.3?Pa?；充N2?气或?其它惰性气体进行吹洗；再抽真空到1.3?Pa?；完成淀积；关闭所有气流，反应室重新抽到1.3?Pa?；回充N2?气到常压，取出硅片。? （3）等离子体增强CVD（PECVD）淀积温度低，冷壁等离子体反应，产生颗粒少，需要?少的清洗空间等等离子体辅助CVD的优点。? （4）VPE气相外延：硅片制造中最常用的硅外延方法是气相外延，属于CVD范畴。在温度为800-1150℃的硅片表面通过含有所需化学物质的气体化合物，就可以实现气相外延。?（5）BPSG：?硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）：???这是一种掺硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法（SiH4+O2+PH3+B