半导体物理验室建设立项申请报告.docVIP

新 余 高 专 实验室建设立项申请报告 申请 单 位: 太阳能科学与工程系 实验室名称: 半导体物理实验室 项目负责人: 刘波 申请 日 期: 2009年2月 新余高专教务处制 一、实验室建设的论证报告及筹建规划 1.实验室设置的必要性和可行性论证 半导体器件物理课程是光伏产业技术、光伏器件设备制造技术等专业（本）专科生的专业基础课。要求学生掌握半导体材料的结构和主要特性。为学习后续课程以及今后从事对光伏器件的设计和性能改进打下基础。本实验室的功能主要是验证和反映半导体材料的微观结构和物理特性，通过实验可使学生巩固所学的知识，了解和掌握半导体材料的主要物理特性，锻炼实际动手能力。 光伏技术专业是我校的重点特色专业，《半导体器件物理》课程的许多内容涉及物质的微观领域，抽象难懂，因此为提高教学质量，达到教学目标，应通过直观实际的实验帮助学生学习本课程。！因此半导体物理实验室的建设既可满足太阳能科学与工程系各专业的教学需要也可满足一定的科研实验的要求。，同时也可为教师的科研工作提供支持。 因此，建设一个规范的、设施先进、良好的半导体基础实验室二也是十分必要的。本实验室和半导体器件实验室相互配合，各有所侧重，共同完成《半导体器件物理》课程的教学。 本实验室共需建设经费约101.3万元。 二、各课程实验内容与实验学时安排表 序号 课程名称 实验项目名称 学时 应配仪器套数 实验要求（必修或选修） 时间 1 半导体器件物理 半导体晶面的定向 2 1 选修 第2学期 2 半导体器件物理 Pn结物理特性 2 20 必修 第2学期 3 半导体器件物理 “四探针法”测量半导体的电阻率及薄层电阻 2 20 必修 第2学期 4 半导体器件物理 半导体霍尔系数及电阻率测量 2 20 必修 第2学期 5 半导体器件物理 半导体的热敏特性和禁带宽度 2 20 选修 第2学期 6 “半导体器件物理 光电导法”测量半导体少子寿命 2 1 必修 第2学期 7 半导体器件物理 MOS结构高频电容-电压特性测量 2 20 选修 第2学期 低值易耗品及材料消耗品计划单 填报单位：太阳能科学与工程系 日期：2009年4月 品 名 型号规格 单位 数量 单价(元) 总额(元) 用 途 注：与半导体器件实验室共用 系领导签字： 盖章：三、仪器设备配置情况明细表 仪器名称 型号规格 承担实验项目 (填序号) 需购台件 预计单价（万元） 预计总价（万元） 拟购置时间 备注 激光晶轴定向仪 项目 参数 晶锭直径 3～8英寸 晶锭最大长度500 测定晶面（硅）111，100 定向精度±30″ 最小读数1″ 科研 1 5 5 2009年 需要厂家免费在使用单位专业培训 PN结物理特性测定仪 直流电源两组:量程分别为20V和1.5V连续可调 数字电压表两组:四位半数字电压表,量程:2V,20V 2 20 0.27 5.4 2009年 需要厂家免费在使用单位专业培训 四探针电阻率测试仪 数字电压表量程：0-199.99mv 灵敏度：10ηV 输入阻抗：1000MΩ 0—9．999mV 灵敏度：1ηV 输入阻抗：10 MΩ 可测电阻率范围：0.001—6000Ω.cm 3 20 1.1 22 2009年 需要厂家免费在使用单位专业培训 霍尔效应测试仪 主要技术参数： 1、励磁恒流源0~0.5A，调节细度＜1mA，稳定度＜10-5，3位半LED数显； 2、样品工作电流源0~3.5mA，调节细度＜10μA，稳定度＜10-5，3位半LED数显； 3、直流数字毫伏表0~20mV，分辨率10μV，3位半LED数显。 4 20 0.465 9.3 2009年 需要厂家免费在使用单位专业培训  半导体热电特性综合实验仪 电源: 恒流源：20.0μA,温度范围: 0.0~100.0℃ 温度变化范围：0.0～100.0℃，恒流源：20.0μA，电压精度：0.01V 。 5 20 0.98 19.6 2009年 需要厂家免费在使用单位专业培训 少子寿命测定仪 专门测试Si Ge, 电阻率范围：0.1~1000Ω.cm 激光波长：904nm, 测试点大小：10mm2, 微波源：10GHZ 少子寿命检测范围：100ns~20ns 检测分辨率：0.1﹪ 6 1 20 20 2009年 需要厂家免费在使用单位专业培训 PDA紫外分光光度计。 技术参数 光源：钨灯氘灯 检测器：1024管光电