霍尔效应及用实验论文.docVIP

霍尔效应及应用实验论文 学院：物理科学与技术学院 专业：微电子 姓名：石茂林 学号：1042023058 摘要: 霍尔效应是霍尔--德国物理学家于1879年在他的导师罗兰的指导下发现的这一效应，这一效应在科学实验和工程技术中得到广泛应用。可以用它测量磁场、半导体中载流子的浓度及判别载流子的极性，还可以利用这一原理作成各种霍尔器件，已广泛地应用到各个领域中。近年来霍尔效应得到了重要发展，冯·克利青发现了量子霍尔效应，为此，冯·克利青获得1985年度诺贝尔物理学奖。 关键词: 霍尔效应 副效应 霍尔电压 直流电压高精度的隔离传送和检测 直流电流高精度的隔离检测 监控量越限时准确的隔离报警 引言:利用霍尔效应电压与磁场的线性关系可知，通过测量元件两端的电压，可以得知空间某区域的磁场分布及其此处的磁感应强度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量和信息处理等方面。 正文：通过自己多次到实验室去体验并做了这些试验，本试验共有4个实验--霍尔效应 、直流电压高精度的隔离传送和检测、直流电流高精度的隔离检测和监控量越限时准确的隔离报警。现在把实验内容及其结论在下面做详细介绍： 一、霍尔效应试验 实验目的：认识霍尔效应并懂得其机理；研究霍尔电压与工作电流的关系；研究霍尔电压与磁场的关系；了解霍尔效应的副效应及消除方法。 实验原理：霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转元件，如图所示 图1.1 霍尔效应磁原理 图1.2 霍尔效应磁电转换 在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比，即(1.1)或 (1.2)式（1.1）中称为霍尔系数，式（1.2）中称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv /(mA·T)。如图1.1所示，一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，在X轴方向通以电流I，则其中的载流子—电子所受到的洛仑兹力为(1.3)。即得 (1.5)此时B端电位高于A端电位。若N型单晶中的电子浓度为n，则流过样片横截面的电流I=nebdV(1.6) 得 (1.7)将(1.6)式代入(1.5)式得 (1.8)式中称为霍尔系数，称为霍尔元件的灵敏度，一般地说，愈大愈好，以便获得较大的霍尔电压。 由（1.8）式可知，如果霍尔元件的灵敏度已知，测得了控制电流I和产生的霍尔电压，则可测定霍尔元件所在处的磁感应强度为。霍尔效应实验电路如图所示。 实验内容及数据处理: 已知参数b=4.0mm, d=0.5mm, =3.0mm. 设，其中K=6200GS/A； 研究霍尔电压与工作电流霍尔电压与磁场的关系的数据及处理： 研究U H--- I H关系 研究U H--- BH 关系 I M(A) 0.300 0.100 0.200 0.300 0.400 I H(mA) 2.00 4.00 6.00 8.00 4.00 U1(mV) -2.21 4.33 -6.71 8.65 -1.57 2.89 -4.46 5.55 U2(mV) 2.23 -4.31 6.72 -8.84 1.58 -2.89 4.45 -5.55 U3(mV) -2.14 4.45 -6.49 8.97 -1.45 3.02 -4.32 5.91 U4(mV) 2.15 -4.47 6.46 -8.95 1.42 -3.01 4.33 -5.92 U H mV） 2.10 4.21 6.12 8.23 1.51 2.94 4.40 5.88 B(Gs) 1080 1080 1080 1080 360 720 1080 1440 有基本原理可得：U H-1=(|U1|+|U2|+|U3|+|U4|)/4=2.10mA B1=B0/A* I M=3600*0.300=1080Gs 同理可求其它的值并将结果填在表中。 按作图法要求作出霍尔电压与工作电流霍尔电压与磁场的关系曲线： 实验分析及结论:本实验采用数字仪表控制,所以相当精确；不过还是存在不等势效应、埃廷斯豪森效应和能斯特效应等副反应影响实验结果。 但是该实验总的来说还是验证了霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流之间成线性的关系这一结论。 思考题:若磁场不恰好与霍尔元件的法线一致,对测量结果会有何影响？如何用实验的方法判断B与法线方向是否一致？ 答：若磁场不恰好与霍尔元件的法线一致,则霍尔片通过电流时,载流子的偏转就会偏离法线方向,而使测的电