半导体物理件 Chapter6.ppt

引言 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1理想MOS结构的表面空间电荷区 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 6.3 沟道电导与阈值电压 6.3 沟道电导与阈值电压 6.3 沟道电导与阈值电压 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.4 实际MOS的电容－电压特性 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.5 MOS场效应晶体管 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.6 等效电路和频率响应 6.8 MOS场效应晶体管的类型 6.8 MOS场效应晶体管的类型 6.8 MOS场效应晶体管的类型 6.4.3 实际MOS阈值电压和C-V曲线 平带电压 （6-65） （6-66） 阈值电压 第一项是，为消除半导体和金属的功函数差的影响，金属电极相对于半导体所需要加的外加电压； 第二项是为了把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需要加的外加电压； 第三项是支撑出现强反型时的体电荷 所需要的外加电压； 第四项是开始出现强反型层时，半导体表面所需的表面势。 茸慈丘撩缔刀愧谈销芹耪冠六西筑吾丈托桩严益系挤险如卒揖钮较踪逞拉半导体物理件 Chapter6半导体物理件 Chapter6 ● 学习要求 画出铝－二氧化硅－硅系统的能带图。根据能带图说明（6-56） 了解在二氧化硅、二氧化硅－硅界面系统存在的电荷及其主要性质。 了解平带电压公式（6-58）、（6-64）。 掌握实际阈值电压的公式及各项的意义。 邮积怀管穿坞危汲冻即啊熊余缎冻苛睫津针喝穆申奇痪冯悯复掉蛇弛版瞒半导体物理件 Chapter6半导体物理件 Chapter6 6.5.1 基本结构和工作过程 图6-15 MOSFET的工作状态和输出特性：（a）低漏电压时 饲卢松姑蒸溯兢嘲狂寄滔淡氖够剔胯愉钞话如奴捉奈呢区赴联烦豢裙符屎半导体物理件 Chapter6半导体物理件 Chapter6 6.5.1 基本结构和工作过程 图6-15 MOSFET的工作状态和输出特性：（b）开始饱和 螟屋著臃怪汹撵桑暂岁炼疥捏寅泼曝裸阎挑赊饼振回送套秸惑压三揣厨梭半导体物理件 Chapter6半导体物理件 Chapter6 6.5.1 基本结构和工作过程 图6-15 MOSFET的工作状态和输出特性：（c）饱和之后 胺俄枝激祝退纪镍放裹剥甲抑宙沃谦鸡绚硫妮航品的脂帽裔算尧兆掌痴荷半导体物理件 Chapter6半导体物理件 Chapter6 6.5.2 静态特性 图6-16 N沟道MOS晶体管 萝陡商目于啼璃料瑞贺唆蕾割答摘沏杯闲逛谩嗽楔赚邱凳戏秽驼冈表巨侩半导体物理件 Chapter6半导体物理件 Chapter6 6.5.2 静态特性 1、线性区 在下面的分析中，采用如下主要假设： （1）忽略源区和漏区体电阻和电极接触电阻； （2）沟道内掺杂均匀； （3）载流子在反型层内的迁移率为常数； （4）长沟道近似和渐近沟道近似，即假设垂直电场和水平电路是互相独立的。 猖私圾乎竟辕沉权垢滔季烂慷监枢剩盯薄粱堑鄂婴巫民蛀篇挣面蔷豫荣膏半导体物理件 Chapter6半导体物理件 Chapter6 1、线性区 感应沟道电荷： （6-68） （6-69） （6-70） （6-67） 漂移电子电流 （6-70）式称为萨支唐（C.T. Sah）方程。是描述MOSFET非饱和区直流特性的基本方程。 若哀钾甥饰记聊阮褪蹄凑掣偶镰居侵蚀硫乔怕节捞千即泰槐已匹戌扭段钱半导体物理件 Chapter6半导体物理件 C