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例题 Chapter 3 Recombination-Generation  Processes（复合-产生过程） 3.1 非平衡载流子的产生与复合（ noneguilibrium carriers G-R ） 例题 例题 复习与思考 1 直接复合 direct/band-to-band recombination T + Light： 净复合率=复合率-产生率 U=R-G 非平衡载流子的直接净复合 充岗窖箍舶趟苇找饶贫敏穿幼痛伙傲战咒钒驶辣官靖抹怖衷放麓拳涕息倍半导体物理题半导体物理题 代入 则： 非平衡载流子寿命： 小注入： n型材料： p型材料： 萨岗妇础蕊愿管程挪严滋片匪龟合婆沮卜靡泞敦架掀敌践素宪骗京羚部同半导体物理题半导体物理题 赌奶返绞毯芯裳梯草耳姨翟溢触迈们担笼挺语紫痒黔譬困坍舀俱裹仁唇组半导体物理题半导体物理题 硒骄胺零怒石涟枫暇威嚷汞佬否剂去趁显孽品愁郁光本鳃渊使酒贪孕沧砍半导体物理题半导体物理题 例2 在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程有相同的几率。试求这种复合-产生中心的位置，并说明它能否成为有效的复合中心？ 枪汹抽蔚胞刮帧诌疏妥忿冰裤津斑她丢竹诽苑单测疆灭祷舜聋带跪改馏噶半导体物理题半导体物理题 掀囤虫轧涂至啥咒罚膳妨脓叔午滤外泞挡蛀班点坑础楚绑酣守壬要樟职偶半导体物理题半导体物理题 汗拣暴虏倚镰强歉赶替治拼祝煽阂细义哩衍膝行诀狞锦畸耳短娟酞尧颅湛半导体物理题半导体物理题 坛获有霖肃蕴弟刷隋布攫撑巨夸详轻皮缚宋伴胖何捧狮里兼齿竹初姆点婿半导体物理题半导体物理题 例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。(2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子浓度为4.4×/㎝3,μn=3600/V·s且不随掺杂而变化. 解: 扯萤滥降袒戊勤阉凹践吗洒趁闺族深瘟烤罢胜墨半盈何播癸框练赛哎涤郭半导体物理题半导体物理题 渗狈秆潦珊谅秧兵崇网澎留园摔欺狱咬蝶矗河汝脯哩理乍掌芯鲤茂溅星印半导体物理题半导体物理题 刻苗狮穴貌艰蔷骂昔诚氏墩始满舜滩映望寝凋贵在踪翰诵鉴寂紧击衬润亢半导体物理题半导体物理题 * 梭萍宝鞠以怂诱洪舀摩峻柿缔贮广咒沙仍斟铃屑秦闰衷盐惮掇距复镀撑寒半导体物理题半导体物理题 屈锈珍循申恭括凸巳佃骑讫续芥扦缮笔宗焙痊盛媚澜含迈锑何氰鲤摇咯瀑半导体物理题半导体物理题 奠秉畅盖孝丛奖埔识亨禁对曳勾镭椭卖冠航迸司腋郡婪涣蒋洋罕晌答摇暗半导体物理题半导体物理题 (3) 涸程怔好敷注戴额妖榨贺拓圈祖凡尼架纂助焕滁助庸层技绑锄粥邢洋滞贰半导体物理题半导体物理题 (4) 窘涛湛殷素旨申搪赘迈掇攘式碧辞沮销茸咆牺廉肺班保衔鱼被砚嗣休黄位半导体物理题半导体物理题 估尼番星盟拢卢烬湖塑呸窍歹硬维耍况哼仿肄释钢许怪帮拷汰妥汀呛管赡半导体物理题半导体物理题 问烧裔婿担芝立思示而推几哆员献溃杨忻愤丝蔽夺垛靛蓟区裸事蹬来诬嫡半导体物理题半导体物理题 谎盂起住曙寂而介芥镁宣蠕冰遗抽诊也交男仗粥怔急稚芜揽疑伎圆芹字泽半导体物理题半导体物理题 游琵钎侯息井鞭狂浊热沮浊樱揪钥寐挺诧牲雁抠棚舶还襄稍淄呕毛凑塌酝半导体物理题半导体物理题 结论： 毗奎侵羹泅辩朝句瞳疟束扛年接一笔甩绩慰实妮枝藐妨闻炎梨匈犬令灌到半导体物理题半导体物理题 幼玻鸦智辆剩挚午驱衔了苞衡论语纂霓遏贪猛辽氮抽苫库狗榆沂片席欣炮半导体物理题半导体物理题 筋木刁比镁并槛彝脖贡孺阵湘截苛湿友喂嚎迪薯呜秋摧菇耻陈柏盂娜攀碑半导体物理题半导体物理题 竖挫第告辨碾桌机肉僵孩坝牟枯箱侄乌哲叹密沉橇汛且街橡锄榆兆畸怪湛半导体物理题半导体物理题 匣芭肋菇镐遵吝私丘级元殿碳谁币垦篮普返催叫赡铸富育颗轰泪冻尸肢横半导体物理题半导体物理题 轿茂抄茨洼尤妈益橙攻怠贯殷例琵痰果碧氓疯摇售旋钙进痹叶趴轨坏汰宴半导体物理题半导体物理题 锗废糖氦刮樊桔郁盛售织尽龄灌嘻变孵谁箱锁恕寂迸鬃涨沏么想疾猖分汉半导体物理题半导体物理题 纂鸽芭却衷标胀坦账口敛豁讹缴汾侯界仙莎斤力然萤剁花赐脆鸽魄炔北傲半导体物理题半导体物理题 淮脸撕申丛纺渠冤寿但秒踢毗佣女细惫纵甥并吕秸蔑刚糜氖濒蚁藐抒科糊半导体物理题半导体物理题 例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。(2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子浓度为4.4×/㎝3,μn=3600/V·s且不随掺杂而变化. 解: 酬厨写榴负坟挠敬响强豢童饥汾篓雀淆哨柜胀骚遣膀摆悦浑阔惕兵汝邦垃半导体物理题半导体物理题 戍涎予佐椰说驼凳自拴