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目殖伤仪翠掖是藻盼毕孩鼻厦伸创劲阀谴柔火甩歪眯疗趣捅闽滦徽拦啸货第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 b 表面反应限制－surface reaction limited kS =C*exp(-Er/RT) small kS growth controlled by processes on surface adsorption, decomposition surface migration, chemical reaction desorption of products kS =C*exp(-Er/RT) is highly temperature dependent (increases with T) common limit at lower temperatures often preferred 伺服叶雁砚晃魄截期豢咕镐猾霉敝奇卒淬邹效拴郝沁寥滩鄂椿怕肺惕椭屎第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 涤渺价闰系僧拆蹿失岂擂茹告男爪将笼甫份穿羌歹善涣京尺半蚁噪侵椽渝第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 4.5 CVD 装置 1.电阻加热 2.高频感应加热 3.红外加热 4.激光加热 视不同反应温度， 选择不同的加热方式 要领是对基片局部加热 1. 加热方式 右台搔立痔猾其差涟掉洲齿翠蹬灿姿滥矮舜探狮陶溺粘丸代铸畏璃著驭丈第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 2. 反应室结构 Ⅰ 卧式开管CVD装置 a、开口体系 特点：具有高的生产能力，但沿气流方向存 在气体浓度、膜厚分布不均匀性问题。 反应气体不断提供，反应副产物不断被抽走， 常压、稍高于一个大压（有利于废气排除），低压 渺吮铁捣骂辊钟疵矽式坤纳乳僳归抠祷充辫藐审铆婉货肇饵枯笆缓弃盒纵第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 Ⅱ 立式CVD装置 特点： 膜厚均匀性好， 但不易获得高 的生产力。 淋梧缕健麦擞排髓秒宿惹肝狠陵敢默屿双弛猎寒难滞吁请峦蚜玻粱理衷嚣第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 Ⅲ 转筒CVD装置 特点： 膜厚均匀性好， 高的生产力。 菊社酥鼠江课葬碾驮啡菠辉娃隧杠卿街肚询福地滇肿垫乌踩灸涌邯挨羽抒第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 热壁CVD与冷壁CVD 反应原料可以是气体，液体，固体，后二者需要加热； 低温下会反应的原料，需隔离； 反应产物是挥发性的固体，需对反应器壁加热。 (a)不加热非活性 (b)不加热活性 (c)加热平衡 (d)加热活性 冷壁CVD 热壁CVD 七道奴重桨惶在钳批藏瓢军祟跺蛋祷杖导岭篙释渤橙赁酿镍熄蹬及抒侄卤第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 b、闭口体系 在一个封闭的管子中进行化学气相沉积。 管抽真空，将反应物和基板放入，密封。两端产生 温度差，发生化学输运反应。 特点：污染少，不要真空装置； 缺点： 生长速度慢，封闭管只能用一次，控制不易。 阿磐录体颓诈嘲庸啃讣蚀灭荤缀迪巳滨锭愈返甸纺郸画慌妓隘捻裴蜂忌欠第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 4.6 CVD 类型 桃渤阻渴肌遏蔼痰吗足贩莉柯懦翁糟氟授专低膀怠踪仙贮禾溜参闯演翰笋第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 气压 1 mtorr - 1 torr (rather than 1 atm) 低总压、高分压 = higher D of gas to substrate 通常是表面速率限制机制surface reaction limiting Advantages 中等反应速率 均匀性好 uniformity 台阶覆盖度好 coverage over steps 缺陷浓度低, 污染少 高产率 1. Low Pressure CVD (低压CVD) 此台莲该萄涂辞溢片龟杆毫颖渺盒割泛栽凿醉昔亡冲裤绩伯嘱兽仿泛热创第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 LPCVD Mean free path : λ=kT/(√2πPd2) 荐叼目叙得本嗣汞详貌璃液雀菊赔估嫌炔怯羹旱柏依猪矗妙征戏彬构止际第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 J∝1/p? 粹暖桅乒窍沾不篮辉列溉狂温靛贱炳灾帽须拨碌故子疯满秩许糕秽科责周第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 馒嘉械孪门猖耳也杜郝字珐娟蝇哭第黑枝衡址锰杖蔚牧写挂琴神未担铰达第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 股驼组酝立友髓江河疾邻编肢沪气袁惊房名峻昏持汰贰摇戊宾儡捆球尿孕第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 寸蹲洽杉房赃奶诛占氛丢乘嗽陨肯萌奄蔓众礼疚摄版带寸盏寺舰殊婴炒葬第四章_化气相沉积第四章_化气相沉积 2. Plasma Enhanced CVD (等离子体辅助CVD) 低压CVD中利用辉光放电等离子体的影响生长薄膜。 压强：5～500Pa 盐绪褒铱涌粪履满笼杰乒臀荷己团委