01半导体器件全解.doc

返回＞＞ 第一章 半导体器件 §1 半导体基础知识 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。 物质的导电性能取决于原子结构。导体一般为低价元素，绝缘体一般为高价元素和高分子物质，半导体一般为外层电子为4。 半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，所以称为半导体。 一、本征半导体 本征半导体：纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。 本征半导体的物质结构：常用的半导体材料是硅和锗，它们都是四价元素，在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。在晶体中，每个原子都和周围的4个原子用共价键的形式互相紧密地联系起来。 自由电子与空穴：共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量，其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子，同时必然在共价键中留下空位，称为空穴。空穴带正电。 半导体的导电性：在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；另一方面，价电子也按一定方向依次填补空穴，即空穴产生了定向移动，形成所谓空穴电流。 载流子：由此可见，半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的穴。本征半导体中自由电子与空穴是同时成对产生的，因此，它们的浓度是相等的。我们用n和p分别表示电子和空穴的浓度，即ni=pi，下标i表示为本征半导体。 载流子的浓度：价电子在热运动中获得能量摆脱共价键的束缚，产生电子—空穴对。同时自由电子在运动过程中失去能量，与空穴相遇，使电子—空穴对消失，这种现象称为复合。在一定的温度下，载流子的产生与复合过程是相对平衡的，即载流的浓度是一定的。本征半导体中的载流子浓度，除了与半导体材料本身的性质有关以外，还与温度有关，而且随着温度的升高，基本上按指数规律增加。所以半导体载流子的浓度对温度十分敏感。 半导体的导电性能与载流子的浓度有关，但因本征载流子在常温下的浓度很低，所以它们的导电能力很差。 二、杂质半导体 本征半导体中虽然存在两种载流子，但因本征载流子的浓度很低，所以它们的导电能力很差。当我们人为地、有控制地掺入少量的特定杂质时，其导电性将产生质的变化。掺入杂质的半导体称为杂质半导体。 1．N型半导体 在本征半导体中掺入微量5价元素，如磷、锑、砷等，则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。由于杂质原子的最外层有5个价电子，因此它与周围4个硅(锗)原子组成共价键时，还多余1个价电子。它不受共价键的束缚，而只受自身原子核的束缚，因此，它只要得到较少的能量就能成为自由电子，并留下带正电的杂质离子，它不能参与导电。由于杂质原子可以提供自由电子，故称为施主原子(杂质) 这种杂质半导体中电子浓度比同一温度下的本征半导体中的电子浓度大好多倍，这就大大加强了半导体的导电能力，我们把这种掺杂的半导体称为N型半导体。在N型半导体中电子浓度远远大于空穴的浓度，即nnpn(下标n表示是N型半导体)，主要靠电子导电，所以称自由电子为多数载流子(多子)；空穴为少数载流子(少子)。 Negative [ ???????? ] n.否定，负数；adj.否定的，消极的，负的, 阴性的； vt.否定, 拒绝(接受) 2．P型半导体 在本征半导体中，掺入微量3价元素，如硼、镓、铟等，则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质代替。杂质原子的三个价电子与周围的硅原子形成共价键时，出现一个空穴，在室温下这些空穴能吸引邻近的价电子来填充，使杂质原子变成带负电荷的离子。这种杂质因能够吸收电子被称为受主原子(杂质)，这种杂质半导体中空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子。被称为P型半导体。 Positive [ ?????????] adj.肯定的, 实际的, 积极的, 绝对的, 确实的；[数]正的；[电]阳的；[语法] 原级的 3．杂质半导体的导电性能 在杂质半导体中，多子是由杂质原子提供的，而本征激发产生的少子浓度则因与多子复合机会增多而大为减少。可以证明，在半导体中两种载流子的浓度的乘积是恒定值，与掺杂程度无关，即 由上式可知，杂质半导体中多子越多，则少子越少。 例：在T＝300K时 硅原子的浓度为：5.1×1022cm-3 此时本征激发产生的电子浓度为：ni=1.43×1010cm-3 掺入十亿分之一的施主杂质（五价元素） 则杂质原子的浓度为：ND=5×1022×10-9=5×1013cm-3 这些杂质原子提供的电子浓度为：ND 可见这个数目远大于ni 所以自由电子的浓度基本上等于杂质的n=ND=5×1013cm-3 而空穴的浓度为：p=ni2/n=ni2/ND=(1.43×1010)2/(5×1013)=4.1×106cm-3 这个例子说明，微量的掺杂可以使半导体的导电能力大加强。 另外，杂质半导体中少子虽然浓度很低，但它对温度非常敏感，将影响半导体器件的性能。至于多子，因其浓度基本上等于杂质原子的浓度，所以受温度影响不大。 §2 PN结 在一块本征半