02-1半导体物理(上)全解.ppt

1874 braun(布郎)发现金属和金属硫化物（如铜铁矿一种半导体）接触的阻值随外加电压的大小和方向有关。 1906，pickard（皮卡得） 发明硅点接触检波器。 1907，pierce 向半导体溅射金属，发现二极管的整流特性。同年round（郎得）发现了电致发光二极管（在碳化硅晶体两端加10伏电压，晶体发出淡黄色光）。 1936，硒整流器和硅点接触二极管可以作收音机的检波器。 1874 braun(布郎)发现金属和金属硫化物（如铜铁矿一种半导体）接触的阻值随外加电压的大小和方向有关。 1906，pickard（皮卡得） 发明硅点接触检波器。 1907，pierce 向半导体溅射金属，发现二极管的整流特性。同年round（郎得）发现了电致发光二极管（在碳化硅晶体两端加10伏电压，晶体发出淡黄色光）。 1936，硒整流器和硅点接触二极管可以作收音机的检波器。 图3.3费米分布函数与温度关系曲线 一般认为在温度不太高时，能量大于费米能级的量子态基本没有电子占据，而小于费米能级的量子态基本为电子所占据，而电子占据费米能级的概率在各个温度下都为1/2，所以费米能级位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常上就说费米能及标志电子填充能级的水平。费米能级越高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 2.玻耳兹曼分布 式3.8中当E-EFk0T时，由 ，这时费米分布转化为： 令 ，则 （3.11） 上式表明，在一定温度下，电子占据能量为E的量子态的概率由指数因子exp(-E/k0T)决定。这就是熟知的波耳兹曼统计分布。fB(E)称为电子的波耳滋曼分布 函数。除去EF附近的几个K0T外，在E-EFK0T处，量子态为电子所占据的概率很小，这正是波耳滋曼分布函数适用的范围。 f(E)表示能量为E的量子态被电子占据的几率，而1-f(E)就表示能量为E的量子态不被电子占据的概率，就是量子态被空穴占据的概率。故 设 EF-EK0T ,则： （3.12） 上式称为空穴的玻而兹曼分布函数。表明E远低于EF时，空穴占据能量E的量子态概率很小,即这些量子态都为电子所占据。 在半导体中通常费米能级位于禁带内，而与导带底或加价带顶的距离远大于K0T，所以对于导带中的所有量子态来说 ，被电子占据的概率都满足f(E)1，故半导体导带中的电子分布可以用电子的波耳滋曼分布函数描写。由于随能量E的增大，f(E)迅速减小，所以导带中绝大多数电子分布在导带底附近。同理，价带中所有的量子态被空穴占据的概率一般都满足1-f(E)1.故价带中的空穴服从空穴的波耳滋曼分布，随着能量的增大，1-f(E)迅速增大，所以价带中绝大多数空穴分布在价带顶附近。 通常把服从玻而兹曼统计的电子系统称为非简并系统，而服从费米统计的电子系统称为简并系统。 3.导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 现在讨论计算半导体中的载流子浓度问题。和计算状态密度时一样，认为能带中的能级是连续分布的，将能带分成一个个很小的能量间隔来处理。 对于导带分为无限多的无限小的能量间隔，则在能量E 到E+dE之间有dZ=gc(E)dE个量子态，而电子占据能量为E的量子态的概率是f(E)，则在E到E+dE间有f(E)gc(E)dE个被电子占据的量子态，因为每个被占据的量子态上有一个电子，所以在E到E+dE间有f(E)gc(E)dE 个电子。然后把所有能量区间中的电子数相加，实际上是从导带底到导带顶对f(E)gc(E)dE进行积分，就得到了能带中的电子总数，再除以半导体体积，就得到了导带中的电子浓度。 图3.4 a.简单能带 b.f(E) c.g(E) d.1-f(E) e.g(E)f(E) 在图3—4(e)中用阴影线标出的面积就是导带中能量E到E+dE间的电子数，所以f(E)gc(E)曲线与能量轴之间的面积除以半导体体积后，就等于导带的电子浓度. 从图3—4(e)中明显地看出，导带中电子的大多数是在导带底附近，而价带中大多数空穴则在价带顶附近 .