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第一章第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性　载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。　体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。　转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管单向导电性------正向导通，反向截止。二极管伏安特性----同ＰＮ结。正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线输入特性曲线---同二极管。输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三. 低频小信号等效模型（简化）hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析概念---直流电流通的回路。画法---电容视为开路。作用---确定静态工作点直流负载线---由VCC=ICRC+UCE确定的直线。电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2. 交流通路与动态分析概念---交流电流流通的回路画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。作用---分析信号被放大的过程。交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= UCEQ+ICQR L’的直线。3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真产生原因---Q点设置过低失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真产生原因---Q点设置过高失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。第三章基本放大电路静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。放大电路的动态分析放大倍数输入电阻输出电阻分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析电压放大倍数在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后输出电阻第四章正弦波振荡电路一.反馈概念的建立＊开环放大倍数－－－Ａ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ＊环路增益－－－ＡＦ：1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于“自激振荡”状态。二．反馈的形式和判断1. 反馈的范围----本级或级间。2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。 3. 反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）4. 反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端）串联反