光刻与刻蚀工艺流程解析.pptVIP

光刻、显影工艺简介 光刻胶( Photo-resist )概述 +PR 和 –PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统 光刻胶概述 +PR -PR +PR -PR基本原理 +PR -PR 树脂分子结构 光刻基本步骤 ? 涂胶 Photo-resist coating ? 对准和曝光 Alignment and exposure ? 显影 Development 详细光刻工序 光刻胶涂布-辊涂法 光刻胶涂布-丝网印刷法 光刻胶涂布-旋转涂布法 预 烘（前烘） Mask制作 曝光剂量 曝光时间差异 碳酸氢钠（1%）----负胶 HCL( 5% )---正胶 氢氧化钠溶液 AUO Proprietary Confidential 高分辨率 High Resolution； 高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment 光刻胶是TFT制作的基本工艺材料之一：由树脂、感光化合物、溶剂 3 个基本部分组成； 具有光化学敏感性：被紫外光、电子束、X射线、电子束等曝光光源照射后，发生光化学反应，溶解度发生变化； 高分辨率 便宜 显影时曝光的被溶解 显影时未曝光的被溶解 曝光后可溶解 曝光后不可溶解 Positive Photo-resist 正性光刻胶－正胶 Negative Photo-res