(大学物理中册练习册答案.docxVIP

第八章真空中的静电场一、选择题1.C；2.B；3.C；4.B；5.B；6.C；7.E；8.AD；9.B；10.BD二、填空题1. ；由圆心指向缺口。2. ；。3. 均匀带电薄球壳。4. ；。5. ；。 6. ；。7. ；；；。8. ；；；。 9. 有源场；保守场（或无旋场）。三、问答题答：E电场强度从力的角度描述电场的性质，矢量场分布；U从能和功的角度描述电场的性质，标量场。E与U的关系为：，使用叠加原理计算电场强度，注意先将各个场源产生的电场强度分解到各坐标轴，然后再叠加。使用叠加原理计算电势，要注意电势零点的选择。四、计算与证明题：1．证：（1）根据对称性分布，两段直导线AB和CD在O点产生的电场强度大小相等，方向相反，则。在半圆形BC上取电荷元dl，则，相应的在O点产生dE为由于对称分布分析可知，设dE和y轴夹角为θ，且有得证（2）半圆形BC在O点产生的电势为：，带电导线AB或CD在O点产生的电势为：，总电势：得证2．解：①取高斯面为同心球面，由高斯定理：，得当r≤R时，当rR时②选无穷远为势能零点。当r≤R时，即球内一点电势为当rR时，即球外一点电势：③球内电荷虽沿径向分布不均匀，但电场仍是球形对称，则作高斯面为半径为r的同心球面。当r≤R时，选一个半径为r＇、厚度为dr＇的薄球壳，则高斯面内总电荷：由高斯定理：得证3．解：由高斯定理可得各区域场强的分布为当，；当，；当，①当，，②当，③当，④，即外球面为负电荷，是内球面电量的两倍。五、附加题1.证：由高斯定理知，一个完整带电球面内场强处处为零，即设想整个完整带电球面由上下两个带电半球面组合而成，如图。上半球对p点有，下半球对p点有，且则与应大小相等，方向相反。如果半球面的底部圆形区域的场强不是垂直于底面，那么上下球面的场强就不可能相互抵消。即，显然矛盾。2. 解：①在细线上取一微元dx，，该处，，沿x轴正向②电势能：第九章真空中的静电场一、选择题⒈ D; ⒉ B; ⒊ B; ⒋ AE; ⒌ C; ⒍ B; ⒎ B; ⒏D; ⒐ B。二、填空题⒈金属导体的表面上；导体表面的法线； 0 ；⒉；⒊①D1=0 ；；D3=0 ；②E1=0 ；；；⒋总量为q1+q2，均匀分布； F1=0 ； F2=0 ；5. ；；6. E , D ; 7. ； 8. 提高耐压，增大电容. 9. ；三、问答题1.机理：静电感应中电子产生宏观移动，导体中电荷重新分布，极化中分子产生位移极化或取向极化，无电荷的宏观移动。2.电荷分布：感应电荷和极化电荷都分布在物体表面3.电场：静电平衡后导体内部电场为零；介质极化后，内部电场有所减小，但不为零。四、计算与证明 1.解：①QA=-Q1, QB=-Q2Q1＋Q2＝Q（1）， A，B接地 UCA=UCB （2）故：ECAd/2=ECBd（3）联立求解得：QA=-2Q/3; QB=-Q/3; ②Q′1＋Q′2＝Q (1)′ ， (2)′ ；E′CAd/2=E′CBd (3)′联立求解：，，2.解：等价于圆柱形电容器：故内膜处最先达到击穿场强，故令 ,, 对应电场能：3. 解：由高斯定理可得：，当 (rR); ，当 (rR); 能量密度：；总能量：＝＝mec2可得：电子半径上限：五、附加题1. 解：①金属球为等势体，只求其球心处电势(简单)因为感应的正负电荷在球心处产生的电势之和等于零，球心处的电势等于电荷q在此处激发的电势，即：②金属球接地后，电势为零，同时金属球上的正电荷向地球迁移(静电平衡)，负电荷由于正电荷的吸引留在金属球上。此时球心电势由电荷q和感应电荷q＇激发：，所以2. 解：未装满油料时，电容可看做一个真空电容C1，一个介质填充电容C2并联：此电容显然也可以看做一个相对介电系数为可变的平板电容，其相对介电系数与液体高度之间的比例系数为εr-1为，此值越大，则油量计越灵敏，因此甲醇更合适。第十章恒定电流的磁场一、选择题⒈ A；⒉ B；⒊ C；⒋ B；⒌ B；⒍ B；⒎ A；⒏ C；⒐ D。二、填空题⒈ N＝4×1010。 2. ；。 3. B2＝；。 4. ；； 5. 。 6. Fab＝IBR、Fac＝IBR；Fbc＝0、∑F＝0；,；,。 7. 磁化；顺磁质、抗磁质、铁磁质；磁滞回线；矫顽力。 8. ；。9.；。三、问答题 1. 简答：等离子中正负离子在洛伦兹力作用下分别偏向不同极板。四、计算证明1. 解：将半圆柱分割成平行于轴线的无限长直导线每个直导线的电流：dI=jdl其中j=I/πR, dl=Rdθ, 该直导线在圆心O点处产生的磁场：由对称性分析有：磁场的x分量会相互抵消，结果只有y分量，故反向电流之间存在排斥力，该力为安培力：2. 解：