半导体物理学(第七版)PPT 2016-5解析.ppt

准中性区的载流子运动情况 稳态时, 假设GL=0 边界条件: 图6.4 欧姆接触边界 耗尽层边界 边界条件 欧姆接触边界 耗尽层边界(pn结定律) 耗尽层边界 P型一侧 P N 耗尽层边界(续) N型一侧 耗尽层边界处非平衡载流子浓度与 外加电压有关 准中性区载流子浓度 理想二极管方程 求解过程 准中性区少子扩散方程 求Jp(xn) 求Jn(-xp) J= Jp(xn)+ Jn(-xp) 理想二极管方程(1) 新的坐标: 边界条件: -xp xn 0 x X’ 空穴电流 一般解 电子电流 P型侧 PN结电流 PN结电流与温度的关系 与理想情况的偏差 大注入效应 空间电荷区的复合 空间电荷区的产生与复合 正向有复合电流 反向有产生电流 空间电荷区的产生与复合-1 反向偏置时, 正向偏置时, 计算比较复杂 VA愈低，IR-G愈是起支配作用 VA?Vbi时的大电流现象 串联电阻效应 q/kT Log(I) VA VA?Vbi时的大电流现象-1 大注入效应 大注入是指正偏工作时注入载流子密度等于或高于平衡态多子密度的工作状态。pn≥nno VA?Vbi时的大电流现象-2 VA?Vbi时的大电流现象-3 VA越大, 电流上升变缓 反向击穿 电流急剧增加 可逆 雪崩倍增 齐纳过程 不可逆 热击穿 雪崩倍增 齐纳过程 产生了隧穿效应 E 隧道穿透几率