材料科学基础第五章1幻灯片.ppt

（2）双交滑移位错增殖机制 螺位错的滑移面不是唯一的 若螺型位错经交滑移后再转回到与原滑移面相平行的晶面上 继续扩展时，则称双交滑移。 螺位错经双交滑移后可形成一对刃型位错的割阶。由于这对 割阶与原位错线不在同一滑移面上，这就使原位错在平行于原滑 移面的滑移面上滑移时产生了一个F－R源。于是，在双交滑移 情况下，可使位错不断得到增殖和发展。 B. 扩展位错的束集与交滑移 扩展位错系由两个不全位错和中间夹的一片层错所构成。层 错能的因素也必然影响扩展位错的密度： 若层错面上存在杂质原子或其它障碍时，可使该处的能量 增高→扩展位错宽度将会缩小，甚至重新收缩成原来的全位错， 成为束集（可看成位错扩展的反过程） 2 ? r ? G ( b1 ? b 2 ) d r r 扩展位错束集时，不仅两不全位错的间距减小，层错宽 窄，而且位错线变长、弯曲、形成弧线。因此，形成束集需要 能量，称为束集能，束集能越大，越难束集。 束集对面心立方晶体的交叉滑移过程有重要的作用。由于 扩展位错只能在原滑移面上滑移，若要进行交滑移，扩展位错 必须首先束集为全位错，然后再由该全位错交滑移到另一滑移 面上并重新分解为扩展位错，继续进行滑移。 扩展位错的束集与交滑移的过程可因温度↑→热激活而得 到促进。 C. 位错的交割（Crossings of dislocations） 晶体中存在大量的具有不同柏氏矢量的位错。因此，当一 个位错沿其滑移面滑动时，往往会迁到不在此滑移面上的其它 位错（通常将穿过此滑移面的其它位错称为林位错）的阻碍 （即切过林位错）而继续前进。通常把位错线彼此切割（即彼 此交叉通过）的过程叫做位错的交割。 位错的交割对于晶体的硬化，以及空位和间隙原子的产生 有着重要的意义。 b1 ? b2 b1 // b2 r （1）两个互相垂直的刃位错的交割： 位错xy向下移动与不动位错AB交割后，位错线AB上 产生一个长度与b1相等刃型割阶PP，由于PP仍位于 Pxy面上可滑动 位错AB和xy交截后，则相应在各自位错线上产生一 段扭折PP和QQ，属螺型且均在原来的滑移面上， 能沿原滑移面滑移。在线张力的作用下，此扭折将会 消除。 （2）刃型位错和螺型位错的交截 当一个运动的刃型位错AA‘和一个不动的螺型位错 BB‘在 b1 ? b2 时的交截：AA’上产生一长度与b2相等的 MM‘刃型割阶，它的存在给AA’继续运动增添阻力； BB上产生一长度与b1相等的NN扭折（刃型） r （3）两螺型位错的交截 AA运动BB固定 b1 ? b2 交截后各自产生了一个割阶MM和NN（均属刃型） 由于MM与b1所组成滑移面⊥原位错线AA的运动方 向，从而成为螺型位错继续运动的阻碍。除非割阶产生 攀移随之运动；同样BB位错所产生的刃型割阶NN也具 有与上述相似的性质。 螺型位错割阶的运动可分三种情况： a）割阶的高度只有1~2个原子间距，此时螺位错运动 可以把割阶拖着走，所谓拖着走是指割阶通过攀移运动 而使其跟着螺位错运动，而在其后留下一排点缺陷（空 位或间隙原子） b）割阶高度在几个原子间距到20nm之间，此时位错 不能拖着割阶一起运动。在外力作用下，位错的前进就 会在其后留下一对拉长了的刃位错线段（常成为位错偶）。 这种位错偶为降低应变能经常会断开而留下一个长的位错 偶，使位错仍回复原来带割阶的状态，而长的位错偶又常会 再进一步裂成小的位错环。 c）割阶高度再20nm以上，此时割阶两端的刃位错相隔 太远，它们之间的相互作用较小，它们可以各自独立地在各 自的滑移面上运动，并以割阶为轴，在滑移面上旋转。这实 际上也是在晶体中产生位错的一种方式。 而刃型位错的割阶与柏氏矢量所组成的面，一般都与原位 错线的滑移方向一致，能与原位错一起滑移，但此时割阶的 滑移面并不一定是晶体的最密排面。故运动时割阶段所受到 的晶格阻力较大，但总的来说，这类滑移割阶给原位错所带 来的滑移阻力要小于螺位错的割阶。 由割阶而引起的对位错运动的障碍常称为割阶硬化。 D 位错的塞积 pile-up of dislocation 由同一位错源产生的，具有相同b的位错在滑移面上运动，若 遇到障碍（如晶界、孪晶界、固定位错、杂质原子等） Frank sessile dislocation Sessile dislocation Lomer-Coffrell barrier 受阻，而外力又不足以克服障碍的阻力时，位错便被迫堆积在 障碍物前形成塞积群。 塞积群中的位错所受的作用力： (1) 外加切应力?0所产生的滑移力 Fd＝ ?0 b (2) 位错间的相互排斥力 (3) 障碍物的阻力 仅作用在领先位错上 Gb (i ?1)2 16kn? 0 k?? L 平衡时 n ? 0 xi表示从障碍物开始计