材料科学基础 第02章 晶体缺陷幻灯片.ppt

第二章 晶体缺陷 第一节 材料的实际晶体结构 一、多晶体结构 一、多晶体结构 二、多晶体的组织与性能： 三、晶体中的缺陷概论 三、晶体中的缺陷概论 第二节 点缺陷 二、点缺陷对材料性能的影响 三、空位的平衡浓度 三、空位的平衡浓度 三、空位的平衡浓度 第三节 位错的基本概念 一、位错的原子模型 一、位错的原子模型 一、位错的原子模型 二、柏氏矢量 二、柏氏矢量 三、位错的运动 三、位错的运动 三、位错的运动 三、位错的运动 三、位错的运动 三、位错的运动 三、位错的运动 四、位错的观察 四、位错的观察 第四节 位错的弹性特征 一、位错的应变能 二、位错与点缺陷的交互作用 三、位错间的交互作用 三、位错间的交互作用 第五节 晶体中的界面 一、表面及表面能 一、表面及表面能 二、晶界 二、晶界 二、晶界 二、晶界 三、相界面 四、晶界的平衡形貌 四、晶界的平衡形貌 四、晶界的平衡形貌 小结 第三节 位错的弹性特征 一对平行的螺位错，按几何规律，其共有面可作为其滑移面。当其方向相同时，也表现为互相排斥，有条件时相互移动来增加其距离。当其方向相反时，也表现为互相吸引，有条件时相互靠近，最后可能互相中和而消失。 处在其他情况下的位错间的相互作用较为复杂，暂时还难简单的说清楚，上例仅提供一分析的方向。 面缺陷：在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 一、表面及表面能 1.晶体的表面：就是晶体的外表面，一般是指晶体与气体(气相或液相)的分界面。 2.晶体的表面能：同体积晶体的表面高出晶体内部的能量称为晶体的表面自由能或表面能。计量单位为J/m2。表面能就是表面张力，单位为N/m。晶体的表面能在有些意义和大家已知液体表面张力是一样的。 第五节 晶体中的界面 3.表面能的来源：材料表面的原子和内部原子所处的环境不同，内部在均匀的力场中，能量较低，而表面的原子有一个方向没有原子结合，处在与内部相比较高的能量水平。另一种设想为一完整的晶体，按某晶面为界切开成两半，形成两个表面，切开时为破坏原有的结合键单位面积所吸收的能量。由于不同的晶面原子的排列方式不同，切开破坏的化学键的量也不同，所以用不同的晶面作表面对应的表面能也不相同，一般以原子的排列面密度愈高，对应的表面能较小。 第五节 晶体中的界面 4.表面能与晶体形状之间的关系：在晶体形成的过程中，为了使系统的自由能最低，尽量降低表面的总能量，即ΣσA最小。为此一方面尽量让σ最小的晶面为表面，当然也可能是表面能略高但能明显减小表面积的晶面为表面。例如fcc结构的晶体自由生长就为14面体。 5.粗糙表面与平滑表面：晶体的表面在宏观为一能量较低的平面，但表面原子的缺陷，局部表面原子的缺少或部分表面有多余原子，以表面存在的阵点数与实有原子数的比x来表示，这些缺陷的存在可提高表面的熵，是必然存在的。每种材料有特定的x值下表面能最低，其中x=0.5的表面稳定的称为粗糙表面，大多数的金属材料是属于粗糙表面；x值仅在0或1附近稳定的称为平滑表面，大多是非金属材料。 第五节 晶体中的界面 2.晶界的结构：根据晶界两侧晶粒的位向差不同，晶界的结构大致可分为三类。 1.晶界：晶界就是空间取向(或位向)不同的相邻晶粒之间的分界面。 1）小角度晶界 晶界两侧的晶粒位向差很小。可看成是一系列刃位错排列成墙，晶界中位错排列愈密，则位向差愈大。 第五节 晶体中的界面 2）大角度晶界 晶界两侧的晶粒位向差较大，不能用位错模型。关于大角度晶界的结构说法不一，晶界可视为2—3(5)个原子的过渡层，这部分的原子排列尽管有其规律，但排列复杂，暂以相对无序来理解。 3）共格界面 界面上一侧的晶体的某一晶面与另一侧的一晶面具有相同的原子排列，例如同一族的不同晶面，作为其共有界面。这时两侧的晶体应处于某写特定角度。 第五节 晶体中的界面 3.界面能：晶界面上的原子相对正常晶体内部的原子而言，均处于较高的能量状态，因此，晶界也存在界面能。 界面能与结构的关系： 第五节 晶体中的界面 4.晶界与杂质原子的相互作用：在材料的研究中，发现少量杂质或合金元素在晶体内部的分布也是不均匀的，它们常偏聚于晶界，称这种现象为晶界内吸附。 产生的原因可参见位错与点缺陷的作用，一般杂质原子与晶体的尺寸或性质差别愈大，这种偏聚愈严重。 杂质原子在晶界的偏聚对晶体的某些性能产生重要的影响，具体的影响到学习材料性能时要使用，这里先介绍内吸附的概念。 第五节 晶体中的界面 2)相界面：两种不同相的分界面。液体的表面是液相和气相的分界面；晶体的表面是晶体和气相(或液相)的