4.3晶体三极管全解.ppt

复习提问： 1.多数载流子是自由电子的是哪一种杂质半导体？多数载流子是空穴的是哪一种杂质半导体？ ——分别是N型半导体和P型半导体。 2.二极管的特性？ ——单向导电性。 3.二极管的导通电压和死区电压？ 导通——硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V 死区——硅管0.5V，锗管0.1V 4.3.半导体三极管 4.3.1 三极管的基本结构 4.3.2 三极管的电流放大作用 1.三极管的电流分配 三极管的电流放大作用：当基极有一个较小的电流变化时，集电极就会产生一个较大的电流变化——小电流控制大电流。 结论: (1) 4.3.3 三极管的特性曲线 *用模拟万用表测量 数字万用表测量三极管 三极管放大电路在汽车电子电路中的应用 课堂小结 1.三极管结构与类型 2.三极管的电流放大作用 3.三极管的三种工作状态及对应的条件 4.三极管的检测 作业 谢谢合作 汽车电路与电子技术 常用半导体器件 常用半导体器件 (1)结构： 三个导电区域 两个PN结 三个电极 (2)分类：硅管和锗管 NPN型和PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C IB IE IC B E C IB IE IC 符号： 基区 发射区 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点及作用： 集电区 　发射区用来发射载流子。 　集电区用来收集载流子。 　基区用来控制载流子。 B E C IB IE IC 晶体管芯结构剖面图 e发射极 集电区N 基区P 发射区N b基极 c集电极 (1)发射区掺杂浓度很高，以便有 足够的载流子供“发射”。 (2)为减少载流子在基区的复合机会，基区做得很薄，一般为几个微米，且掺杂浓度较发射极低。 (3)集电区面积较大，且为了顺利 收集边缘载流子，掺杂浓度很低。 可见，三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 实现电流放大的内部条件 大功率低频三极管 小功率高频三极管 中功率低频三极管 目前国内生产的硅晶体管多为NPN型(3D系列)，锗晶体管多为PNP型(3A系列)，按频率高低有高频管、低频管之别；根据功率大小可分为大、中、小功率管。 （3）外形： 2.88 2.16 1.44 0.72 0 发射极电流IE(mA) 2.80 2.10 1.40 0.70 0 集电极电流IC(mA) 0.08 0.06 0.04 0.02 0 基极电流IB(mA) 试验数据： 测试电路 VT (2) 称三极管的电流放大系数 或 2.三极管的电流放大作用分析 　PN结的偏置方式决定了晶体管的导通与截止。 实现放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 　 NPN：发射结正偏 VBVE　；集电结反偏 VCVB 　 PNP：发射结正偏 VBVE　；集电结反偏 VCVB 以NPN管为例 B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN PNP B E C N N P VEE RB VCC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IB?IBE IB IB?IBE B E C N N P VEE RB VCC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 从基区扩散来的电子进入集电结而被收集，形成ICE。 IB IB?IBE IB B E C N N P VEE RB Vcc IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE 据基尔霍夫电流定律：IE=IB+IC 即管子各极上电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 1、输入特性 iB(?A) uBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V, 锗管UBE?0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 iB=f(uBE) | uCE=常数 uCE一定时iB与uBE的关系 特点:非线性 2、输出特性 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9