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高K材料测量 脉冲测试的基本方法 对栅极加一个脉冲电压，漏极上加一个偏压（Bias），用数字示波器同时记录栅极电压和漏极电流，漏极电流通过公式可以算出来，这样从栅极脉冲信号的上升沿和下降沿就可以获得Id-Vg曲线。 高K材料测量 不同脉冲宽度下的 Id-Vg曲线（Keithley 2006年与美国SEMATECH公司合作，发表了下列测试曲线）： 高K栅极测量 极短脉冲下的测量效果： 因为用非常短的脉冲宽度会产生少很多的电荷阱效应，测量到的漏极电流比在DC条件下要高。当用脉冲I-V数据来建立一个模型时，就导致一个更高的可预测的沟道载流子移动，就可以更好地表征切换非常快地晶体管。 高K栅极电介质NMOSFET的脉冲I-V和DC I-V测量结果的重叠图： a）DC和脉冲Id-Vg测量图，b）DC和脉冲Id-Vd测量。 针对纳米器件自热效应的克服 自热效应已经成为纳米器件和TFT器件测试时必须要考虑的一个问题，对于一些基于小尺寸和SOI工艺技术更低功率器件（这样的器件在工作时产生的热量不能立即散发），自热效应会导致用传统直流测试方法得不出更加真实的数据。在这种情况下，使用脉冲I-V测试就可以极大地避免自热效应带来的影响。 NBTI测试 MOSFET在高栅极偏压和高温下负偏压