65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀配方的问题与优化1全解.pptVIP

65纳米铜互连工艺中超厚沟槽刻蚀配方的问题与优化 目 录 铜互连工艺中的超厚沟槽 超厚沟槽刻蚀工艺的影响因素 超厚沟槽刻蚀配方的优化 总结与展望 一. 铜互连工艺中的超厚沟槽 1.1. 铜互连工艺介绍 先通孔(Via First)双大马士革工艺流程示意图 沟槽刻蚀后的电子显微镜照片 1.2. 超厚沟槽刻蚀工艺 65纳米集成电路生产中，后段铜互连会运用到超厚沟槽工艺（UTM, Ultra-Thick-Metal ）。这一工艺应用于最顶层的沟槽（TM, Top Metal）。其沟槽深度达到3~3.5微米，远较中间层沟槽（IM, Inter Metal）厚（约为0.3微米）。 2.1微米 光刻胶 0.06微米 SiON 3.4微米 SiO2 0.12微米 SiN 刻蚀前 刻蚀后（阻挡层,SiN Stop Layer未除去） 2.1微米 光刻胶 0.06微米 SiON 3.4微米 SiO2 0.12微米 SiN 超厚沟槽刻蚀工艺流程示意图 超厚沟槽的电子显微镜照片 1.2. 超厚沟槽刻蚀工艺 二. 超厚沟槽刻蚀工艺的影响因素 2.1.超厚沟槽刻蚀的残留与刻穿现象 正常UTM 残留 刻穿 影响超厚沟槽刻蚀工艺的三个因素： 二氧化硅层沉积厚度及刻蚀设备的刻蚀速率对工艺的影响 产品透光率大小对刻蚀工艺的影响 图形线宽大小对工艺的影响 UT