稀土化合物的制备[精选].ppt

1. 合成 2RECl3 + 3H2SiF6 → RE2(SiF6)3 + 6HCl RE2(SiF6)3+2NH4HCO3+2NH3·H2O → 2REFCO3↓+3SiF4↑+ 4NH4F+2H2O 2RECl3 +3NH4HCO3+3NH3·H2O → RE2(CO3)3+ 6NH4Cl+3H2O RE2(CO3)3 + H2O → 2RE(OH)CO3 + CO2↑ 2. 焙烧 REFCO3 → REOF + CO2↑? 2RE(OH)CO3 → RE2O3 + 2CO2↑ + H2O↑4Ce(OH)CO3 + O2 → 4CeO2 + 4CO2↑ + 2H2O? 6CeFCO3 + O2 → 4CeO2 + 2CeF3 + 6CO2↑ 氟碳铈精矿抛光粉的制备 用氟碳铈精矿制备抛光粉不需要合成步骤，直接焙烧即可，最后进行分级就可以得到抛光粉 REFCO3 → REOF + CO22REOF +H2O →RE2O3 + 2HF? REF3 + H2O → REOF + 2HF↑ RE2O3 + H3BO3 → CeO2 + LaBO3 + H2O↑ 用氟碳铈精矿制备抛光粉在国内为数不多，目前处在抛光眼镜片的初期使用阶段，主要是因为比放射性强度较高，但其成本较低，有较大的发展前途。 氧化铈抛光粉的制备 氧化铈抛光粉的制备，一般是先把铈溶液沉淀为草酸铈、碳酸铈或氢氧化铈，然后焙烧，最后经分级，得到氧化铈抛光粉，主要反应方程式如下： 2Ce3+ + 3H2C2O4 + nH2O → Ce2(C2O4)3·nH2O + 6H+ Ce2(C2O4)3·nH2O + 2O2 → 2CeO2 + 6CO2↑ + nH2O2Ce3+ + 3NH4HCO3 + nH2O → Ce2(CO3)3·nH2O + 3H+ + 3NH4? Ce2(CO3)3·nH2O + 1/2O2 → 2CeO2 + 3CO2↑ + nH2O 现在超细的氧化铈抛光粉主要用于精密光学仪器、激光晶体、半导体元件、液晶显示器和电脑光盘的抛光，已逐渐受到人们的重视，产量逐年提高。纳米级氧化铈抛光粉目前也已经问世，随着现代科学技术的发展，其应用前景不可预测，但现在还处于研发阶段。 稀土化合物的制备 晶型稀土碳酸盐的制备 向稀土溶液中加入可溶性碳酸盐（铵、钠、钾等），就可得到组成为RE2(CO3)3·nH2O的稀土碳酸盐水合物沉淀。但沉淀往往是无定形的，其溶解度较草酸稀土和氢氧化稀土均小。 由于碳酸稀土的溶解度小，析出的沉淀常为无定型，使固液分离比较困难，且对杂质的分离选择性也较差，因此限制了碳铵沉淀剂的使用。所以必须研究晶形碳酸稀土的沉淀方法，才能使碳铵沉淀方法得到广泛的应用。 碳铵沉淀制备晶形碳酸稀土的方法。 在稀土溶液中加入碳铵后发生如下反应[4]： 2RE3+ + 3HCO3– → RE2(CO3)3 + 3H+ H+ + HCO3– → CO2↑ + H2O 上述两个反应方程式合并后总反应为 2RE3+ + 6HCO3– → RE2(CO3)3 + 3CO2↑ + 3H2O 由于Ksp值(即S值)的大小与沉淀颗粒的大小有关，对于颗粒细小的无定形沉淀对应一个稍大的Ksp值，平衡时溶液中RE3+与CO32-的离子积稍大于结晶状碳酸稀土的Ksp值，此时具备形成晶状碳酸稀土的热力学条件。 工业上沉淀碳酸稀土的工艺条件一般是：稀土溶液的浓度为40~100g/L，pH为2~3，沉淀温度为40~60℃，加入约10%的晶种，然后在搅拌下缓慢加入碳铵，其用量是稀土氧化物的1.5~1.6倍，至溶液的pH值为6~7，沉淀完全后，40~60℃陈化2~5小时，然后离心甩干、洗涤，可以得到ΣREO≥45%的碳酸稀土晶体，得到的碳酸稀土晶体是水合稀土碳酸盐。 沉淀过程中加入少量的消泡剂，可以加速碳酸稀土的结晶，利于晶体的生长，使碳酸稀土晶体排列变得有序，形状规则，颗粒粗大，包裹的杂质较少，易于过滤和洗涤，可以由氯化稀土溶液直接生产氯根含量为50~100ppm的低氯根碳酸稀土。 稀土氧化物及超细粉体的制备 随着科学技术的发展，作为新材料的原始材料的稀土氧化物得到了越来越广泛的应用，而且稀土氧化物的制备向着具有特殊物理化学型状的方向发展，如要求制备不同粒径、不同比表面积的稀土氧化物和稀土复合物粉体等。 稀土金属在空气中氧化或在空气中灼烧稀土的氢氧化物以及含挥发性酸根的稀土盐类（如：草酸盐、碳酸盐、硝酸盐、硫酸盐等）就可得到稀土氧化物。一般形成倍半氧化物（RE2O3），而铈形成CeO2，镨形成Pr6O11(Pr2O3·4PrO2)，铽形成Tb4O7(Tb2O3·2TbO2)。工业上一般用在空气