第1章传感器敏感材料幻灯片.pptVIP

传感器敏感材料有多种,如物理材料、化学材料和生物材料等。 1. 单晶硅：固态传感器的材料，优点： 优良的机械、物理性质，材质纯，内耗低、功耗小。 机械品质因数高达106数量级，滞后和蠕变极小，机械稳定性好。 各向异性，具有很好的热导性，应变灵敏系数高。 硅材料的质量轻,密度为不锈钢的1/3,而弯曲强度为不锈钢得3.5倍,具有高强度比和高密度比; 热导性为不锈钢底倍,而热膨胀系数不到不锈钢的1/7; 制造工艺与硅集成电路工艺有很好的兼容性 可实现微型化、低功耗，有利于传感器的一致性、可靠性和快响应。 2. 多晶硅：是许多单晶的聚合物。晶粒的排列是无序的，不同的晶粒有不同的单晶取向，而每一晶粒内部具有单晶的特征。 晶粒与晶粒之间的部位称为晶界，其对压阻效应的影响可通过控制掺杂浓度来降低。晶粒越大，压阻效应越大。 低温淀积的多晶硅膜经过高温处理后晶粒明显增大，有利提高压阻效应。 多晶硅压阻膜具有良好的温度稳定性，可有效地抑制温漂，是制造低温漂传感器的理想材料。 3. 非晶体硅：在光电器件、传感器中应用。 与晶体材料相比，非晶体硅具有： （1）在可见光范围内具有高的光吸收系数。 （2）淀积温度低（200-300oC），可用多种材料作衬底，感受大面积淀积。 （3）材料性能稳定，具有较高的机械强度。 （4）具有高的塞贝克系数 （5）纯非晶硅没有压阻效应，利用微晶相与非晶相混合可产生压阻效应，灵敏系数高。 （6）非晶硅的弹性模量和多晶硅一样，取决于制备和热处理，一般为（150—170）×103MPa。 可制成多种传感器，如光传感器，成象传感器，高灵敏度温度传感器，微波功率传感器，触觉传感器等。 4. 硅蓝宝石：是在蓝宝石衬底上应用外延生长技术形成的硅薄膜。 衬底是绝缘体，可实现元件之间的分离，且寄生电容小。 蠕变极小，优于单晶硅；耐辐射能力强；化学稳定性好，耐腐蚀性强。 具有耐环境性强的优势。 先进的成象传感器材料。如碲镉汞、锑化铟、砷化镓等。 开发长波段的应用。 无源探测的红外光敏技术，广泛应用。如红外夜视、火控、跟踪定位、精确制导等 1. 石英晶体：晶态SIO2, 形状为六角锥体，构成Ｚ轴（光轴），Ｘ轴（电轴），Ｙ轴（机械轴）。 特点：各向异性，具有压电特性；绝缘体；和单晶硅一样，具有优良的机械物理性质。 工作温度为２００℃－２５０℃ 2. 石英玻璃：非晶态SIO2，物理特性与方向无关。 机械物理性能和化学性能极优。 在７００ ℃－８００ ℃以前，弹性模量随温度的增高而增大，以后随温度的升高而下降。 最高使用温度为1100 ℃。 适宜制造高精度传感器。 以化学合成的物质为原料，控制其中的组分比，经过精密的成型烧结，可制成适合传感器需要的多种精密陶瓷材料----功能陶瓷材料。 特点：耐热性，耐腐蚀性，多孔性，光电性，压电性等独特的性能。 新开发陶瓷温度、气体、温度、光电、离子、加速度、陀螺等传感器。 作为压电体、光导体、光波导和半导体的多用途材料； 六角晶结构，各向异性体，具有大的压电常数，大的声光、电光和非线性光学系数。 淀积ZnO膜技术最广泛的方法是磁控溅射方法，可获得压电性能、光学性能优良，表面平坦而透明的致密薄膜层。 是指含有铁电晶体组织的特殊高分子聚合物，如聚氯乙烯、聚偏二佛乙烯（PVF2)。 PVF2优良，具有压电、热释电特性。 应用在电-声和机-电传感器，如声频、超声波等。 结构为长程无序，短程有序； 在旋转磁场中的各个方向的相对磁导率较高； 电阻率高，在交变磁场作用下，涡流损耗小，响应快，高频特性好； 磁致伸缩效应大； 机械强度高，高达2000-3500MPa。 根据传感器的具体特性要求确定这类材料的组分和形状。 新的传感器材料，具有热弹性和超弹性； 过程：把某种记忆合金在高温下定形后，若冷却到低温产生形变，只要温度稍微升高就可以使形变迅速消失，并回到高温下所具有的形状。 代表性材料有：NiTi ,CuZnAl,CuAlNi。 原子合成法通过控制材料的特性可以合成理想传感器材料; 晶体合成法:多层结构,材料的混合在原子级上进行控制,合成的材料也叫人造晶格或超晶格; 超晶格结构具有全新的材料特性; 超晶格结构可随意控制物理常数,具有很大的发展前景。 思考题 1、为什么大部分传感器都趋向于用硅材料制造？ 2、石英晶体与石英玻璃的异同点？ * * 第1章 传感器敏感材料 1.1半导体硅材料 1.2化合物半导体材料 1.3石英敏感材料 1.4精密陶瓷材料 1.5 ZnO薄膜 1.6 铁电聚合物 1.7非晶态磁性合金 1.9 复合材料 1.8形状记忆合金 1.1半导体硅材料 1.2化合物半导体材料 1.3石英敏感材料 1.4精密陶瓷材料 1.5 ZnO薄膜 1.6 铁电聚合物 1.