第6章 无机材料的电导幻灯片.ppt

2. 氧化物中缺陷能级 杂质缺陷 不同于被取代离子价态的杂质 组分缺陷 引起非计量配比的化合物： 还原气氛引起氧空位； 阳离子空位； 间隙离子。 （1） 价控半导体陶瓷杂质能级的形成 例如： BaTiO3的半导化通过添加微量的稀土元素，在其禁带间形成杂质能级，实现半导化。添加 La的BaTiO3原料在空气中烧成, 用不同于晶格离子价态的杂质取代晶格离子，形成局部能级，使绝缘体实现半导化而成为导电陶瓷。 杂质离子应具有和被取代离子几乎相同的尺寸；杂质离子本身有固定的价态。 1）价控半导体陶瓷： 2）杂质离子需满足的条件 反应式如下: Ba2+Ti 4+O2-3+xLa3+=Ba2+1-xLa3+x(Ti 4+1-xTi3+x)O2-3+xBa2+ 缺陷反应： La2O3 =LaBa · +2e′ +2Oo× +O21/2(g) 添加 Nb实现BaTiO3的半导化，反应式如下： Ba2+Ti 4+O2-3+yNb5+=Ba2+[Nb5+y(Ti4+1-2yTi3+y)]O2-3+yBa2+ 缺陷反应： Nb2O5 =2LaTi· +2e′ +4Oo× +O21/2(g) 氧化镍中加入氧化锂，空气中烧结， 反应式如下： X/2Li2O+(1-x)NiO+x/4O2=(Li+xNi2+1-2xNi2+x)O2- 缺陷反应： Li2O +O21/2(g)=2LiNi′ +2h · +2Oo× — — — — — — — — - - - Eg Ec Ev EA ?EA - 价电子 2LiNi′ 2h · 3）杂质能带 — — — — — — — — + + + Eg Ec Ev ED ?ED + LaBa · 弱束缚电子和自由电子 化学计量配比的化合物分子式： MO 有阳离子空位的氧化物分子式： M 1-xO 形成非化学计量配比的化合物的原因：由温度和气氛引起。 平衡状态，缺陷反应如下： O21/2(g)=VM×+2Oo× VM× = VM′ + h · VM′ = VM′′ + h · 出现此类缺陷的阳离子往往具有正二价和正三价。 （2） 组分缺陷 1）阳离子空位及缺陷能级 阳离子空位形成的缺陷能级 受主能级 — — — VM× — — — VM′ VM′′ 化学计量配比的化合物分子式： MO2 有氧空位的氧化物的分子式： MO2-x 形成非化学计量配比的化合物的原因：由温度和气氛引起。 平衡状态，反应如下： Ti4+ O2 = x/ 2 O2 (g)+ Ti4+1-2 xTi3+2xO2-2-x?x 缺陷反应： 2Oo = Vo·· +2e′+O1/2(g) 出现此类缺陷的阳离子往往具有较高的化学价。 2）阴离子空位及缺陷能级 氧离子空位形成的缺陷能级 — — — Vo · — — — Vo× __ __ __ Vo · · 施主能级 化学计量配比的化合物分子式： MO 有间隙离子的分子式： M1+xO 形成非化学计量配比的化合物的原因：由气氛引起。 平衡状态，缺陷反应： ZnO = Zni× + / 2 O2 (g) Zni×= Zni· + e′ Zni · = Zni·· + e′ 出现此类缺陷的阳离子往往具有较低的化学价。 3）间隙离子缺陷 — — — Mi× — — — Mi · 形成氧离子空位的缺陷能级 施主能级 __ __ __ Mi · · 5.5.2 p-n 结 1）合金法 液体为铝硅熔融体 ，p型半导体为高浓度铝的硅薄层 n Si AI n