第4章 第6讲 MOS传输门逻辑电路幻灯片.pptVIP

4.6 MOS传输门逻辑电路 MOS传输门的基本特性 MOS传输门逻辑电路 MOS传输门的基本特性 NMOS/PMOS传输门特性 CMOS传输门特性 MOS传输门结构 NMOS传输门传输高电平特性 NMOS传输高电平 NMOS传输门传输低电平特性 NMOS传输低电平 NMOS传输高电平和低电平的输出波形 PMOS传输门传输特性 传输管（NMOS/PMOS传输门） 结构简单 有阈值损失 NMOS高效传输低电平，低效传输高电平 PMOS高效传输高电平，低效传输低电平 MOS传输门的基本特性 NMOS/PMOS传输门特性 CMOS传输门特性 CMOS传输门传输高电平特性 CMOS传输门传输低电平特性 CMOS传输门直流电压传输特性 CMOS传输门导通电流的变化 CMOS传输门导通电阻的变化 MOS传输门逻辑电路 传输门组合逻辑 传输门阵列 传输门逻辑形式（CPL和DPL） 用传输门实现组合逻辑 传输门组合逻辑 异或门 传输门结构灵活，可以用较少的器件实现逻辑功能 传输门实现异或等复杂逻辑门结构效率较高 NMOS和CMOS结构 多路选择器 全加器 全加器中求和逻辑是3异或 传输门逻辑电路 传输门组合逻辑 传输门阵列 传输门逻辑形式（CPL和DPL） 多功能发生器的真值表 用CMOS传输门构成多功能发生器 传输门逻辑电路 传输门组合逻辑 传输门阵列 传输门逻辑形式（CPL和DPL） 逻辑形式（logic style） 可以实现任意逻辑的一种器件排列方法 互补CMOS逻辑 各种传输门逻辑 Domino逻辑 不同的逻辑形式根据自身特点，适合特定逻辑功能（互补CMOS适合与或逻辑，传输门适合异或逻辑） 互补传输晶体管逻辑(CPL) CPL 增加输出反相器和电平恢复器件 提高驱动能力，恢复阈值损失电平 双传输晶体管逻辑(DPL) 几种传输门电路的比较 互补CMOS结构输入信号均连接器件栅极，结构规整，版图面积更小 其他传输门逻辑形式 文献报道了很多种基于传输门的逻辑形式 CPL和DPL有所应用 Complementary Pass-transistor Logic 优点：非常简单规则的电路形式，具有很强的逻辑组合能力； 用互补的输入信号同时产生一对互补的输出（双轨逻辑）； 模块式电路结构，用基本模块组合成复杂功能电路。 缺点：输出有阈值损失，噪声容限低，驱动能力差。 可以在输出增加CMOS反相器改善性能。 Double Pass-transistor Logic 优点：保持了 CPL的优点， 没有阈值损矢， 双路传输， 速度快。 缺点：比CPL 用的管子多。 * * NMOS传输门 Pass Transistor 源、漏端不固定 双向导通 CMOS传输门 Transmission Gate NMOS,PMOS并联 源、漏端不固定 栅极接相反信号 两管同时导通或 截止 CMOS反相器 NMOS,PMOS串联 源端接固定电位、 漏端输出 栅极接相同信号 两管轮流导通或 截止 源端 (G) (D) (S) Hints: VD=VG, 器件始终处于饱和区, 直到截止 Vin=VDD,Vc=VDD 输出电压：有阈值损失 工作在饱和区，但是电流不恒定 低效传输高电平(电平质量差，充电电流小) Vin=VDD,Vc=VDD，Vout＝VDD－Vth VOUT=VDD-VTN 漏端 (G) (s) (D) Hints:器件先处于饱和区，后处于线性区 （类似于CMOS反相器中 的NMOS管） Vin=0 VC=VDD 输出电压：没有阈值损失 先工作在饱和区，后进入线形区 高效传输低电平 （电平质量好，充电电流大） Vin=0,Vc=VDD，Vout＝0 VOUT=0 漏端 (G) (s) (D) 传输高电平情况 传输低电平情况 器件先处于饱和区， 后处于线性区 器件始终处于饱和区, 直到截止 VOUT=VDD VOUT=-VTP VOUT=VDD-VTN VOUT=0 VOUT=VDD VOUT=-VTP 传输高电平分为3个阶段： （1） NMOS和PMOS都饱和； （2） NMOS饱和,PMOS线性； （3） NMOS截止,PMOS线性。 0 V DD V DD V in V out V DD V TP V TN 单 管 导 通 双 管 导 通 单 管 导 通 - - VOUT=VDD-VTN VOUT=0 VOUT=VDD VOUT=-VTP