第4章 金属-半导体结幻灯片.pptVIP

4.7 肖特基势垒二极管和 P-N结二极管之间的比较 第四章 金属-半导体结 4.7 肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 肖特基势垒二极管是多子器件 P-N结二极管是少子器件 （1）在肖特基势垒中，由于没有少数载流子贮存，因此肖特基势垒二极管适于高频和快速开关的应用。 （2）肖特基势垒上正向电压降要比P-N结上低得多。低导通电压使肖特基二极管对于钳位和限辐的应用具有吸引力。 （3）肖特基势垒的温度特性优于P-N结。 （4）噪声特性优于P-N结。 （5）肖特基势垒二极管制造工艺简单。 4.7 肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 4.7 肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 4.7 肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 小结 肖特基势垒二极管是多子器件，与P-N结二极管相比具有高频、高速，低接通电压，低温度系数和低噪声的特点 肖特基势垒二极管制造工艺比P-N结二极管制造工艺简单得多。 4.7 肖特基势垒二极管和P-N结二极管之间的比较 教学要求 了解与结型二极管相比肖特基势垒二极管的主要特点。 作业4.10 4.8 肖特基势垒二极管的应用 第四章 金属-半导体结 4.8 肖特基势垒二极管的应用 一、肖特基势垒检波器或混频器 肖特基二极管的等效电路 结电容 Cd 串联电阻 rs 二极管结电阻 （扩散电阻） 有效的检波器或混频器要求射频功率为二极管结电阻所吸收,且在串联电阻上功率耗散要小. 4.8 肖特基势垒二极管的应用 一、肖特基势垒检波器或混频器 串联电阻功率耗散和在结上相等 截止频率 高频运用， 、 和 都应很小。如果半导体具有高杂质浓度和高迁移率，能够实现小的 。采用 材料，工作频率接近 是有可能的。 （4-39） 4.8 肖特基势垒二极管的应用 二、肖特基势垒钳位晶体管 4.8 肖特基势垒二极管的应用 肖特基势垒钳位晶体管 开关晶体管饱和时，集电结正向偏置约0.5V。若肖特基二极管上的正向压降（一般为0.3V）低于晶体管基极?集电极的开态电压，则大部分过量基极电流流过二极管，该二极管没有少数载流子贮存效应。因此，与单独的晶体管相比较，合成器件的贮存时间得到显著的降低。测得的贮存时间可以低于1ns。 4.8 肖特基势垒二极管的应用 肖特基势垒钳位晶体管 肖特基势垒钳位晶体管是按示于图4-13b的结构以集成电路的形式实现的。 铝在轻掺杂的N型集电区上能形成极好的肖特基势垒，并同时在重掺杂的P型基区上面形成优良的欧姆接触。这两种接触可以只通过一步金属化作成，无需额外的工艺。 4.8 肖特基势垒二极管的应用 小结 肖特基势垒二极管等效电路。 由于肖特基势垒二极管具有高频、高速优点，它们被应用于肖特基势垒检波器或混频器和肖特基势垒钳位晶体管。 3. 肖特基势垒检波器的截止频率定义：随频率升高在 上的功率耗散将增加，当在 上功率耗散和在结上的相等时频率定义为截止频率。 4. 肖特基势垒钳位晶体管的电路图、集成结构示意图。 5. 肖特基势垒钳位晶体管的工作原理。 4.8 肖特基势垒二极管的应用 教学要求 画肖特基势垒二极管等效电路，各参数所代表的意义。 画出肖特基势垒钳位晶体管的电路图和集成结构示意图。 说明肖特基势垒钳位晶体管的工作原理。 作业：4.11 4.9 欧姆接触：非整流M-S结 第四章 金属-半导体结 在所使用结构上不会添加较大寄生阻抗，且不足以改变半导体内的平衡载流子浓度使器件特性受到影响。 4.9 欧姆接触：非整流的M-S结 欧姆接触 考虑 的金属和N型半导体。接触之前和接触后的能带图。 图4-14 金属和N型半导体的接触能带图：（a）接触之前（b）接触后处于平衡态 4.9 欧姆接触：非整流的M-S结 欧姆接触 图4-14 （c）在半导体一边加上负电压，（d）在半导体一边加上正电压 可以看出在结处几乎不存在势垒，因此载流子可以自由地通过任一方向，这种M-S结是非整流. 4.9 欧姆接触：非整流的M-S结 金属－P型半导体 ：欧姆结 ：整流结 金属－N型半导体 ：整流结 ：欧姆结 金属和重掺杂半导体之间形成欧姆接触 载流子可以隧道穿透而不是越过势垒 欧姆接触 4.9 欧姆接触：非整流的M-S结 图4-15金属在 半导