第八讲_半导体的导电性212摘要.pptVIP

第二章 材料的电学性能 顾修全 本章内容 金属的导电性 合金的导电性 半导体的导电性 材料的介电性 材料的超导电性 半导体的电学性能 半导体的特点及应用 我国目前的半导体工业 多晶硅生产及光伏产业 集成电路（晶圆）制造产业 发光二极管（LED）及半导体照明产业 第三节 半导体的导电性 半导体材料及其能带 导电机制 PN结 半导体电学性能的测试方法 应用领域 1. 半导体材料及其能带 半导体材料的导电性 金刚石、硅和锗的对比 三者均为金刚石结构；禁带宽度分别为 ~5.4 eV、~ 1.2 eV和 ~ 0.7 eV。 在硅和锗中，一些电子在一般温度下就能受到热激发，越过禁带占据一些导电的能级。而当施加电场作用时，占据导带的电子就能引起电导。为半导体。 只有在0 K时，硅和锗才变得和金刚石一样，为绝缘体。 砷化镓具有闪锌矿结构。也就是和硅、锗具有相似的结构。 优点：工作温度较高，承受的电压较大，可以在更高的频率下工作，有较好的抗辐射能力等 缺点：提纯和制备 GaAs 单晶比硅困难得多，GaAs 的寿命也比较短。 GaAs目前只用于 一些特殊的场合，如航空、航天领域等。 化合物半导体 化合物半导体的优点是具有范围较宽的禁带和迁移率，可以满足不同场合的特殊要求 在一些化合物半导体中，应用了非化学计量原理来产生杂质能级，此时组分的控制特别重要 由于纯度的限制，化合物半导体发展较为缓慢。事实上，就整个半导体工业来说，材料工艺的限制一直是器件发展步伐缓慢的原因。尽管理论已经非常成熟。 半导体材料的制备 体单晶材料（如Si片） 外延薄膜（如GaAs、GaN薄膜） 第三节 半导体的导电性 半导体材料及其能带 导电机制 PN结 半导体电学性能的测试方法 应用领域 2. 导电机制 本征半导体 杂质半导体 本征半导体 禁带宽度可以用实验方法测定 杂质半导体 半导体的性能是由导带中的电子数和价带中的空穴数决定的 电子和空穴可以借助于热、电、磁等形式的能量激发产生，称为本征激发；相应形成本征半导体 电子和空穴也可以借助于引进杂质元素而激发，称为非本征激发；相应形成非本征半导体 (杂质半导体) 杂质半导体 半导体中的载流子是电子和空穴，这两种载流子都可以通过引进杂质的方法而获得 如果杂质的引进导致了电子的产生，则相应形成的杂质半导体称为 n 型半导体 如果杂质的引进导致了空穴的产生，则相应形成的杂质半导体称为 p 型半导体 杂质半导体都是固溶体 杂质半导体的特点 掺杂浓度与原子密度相比虽很微小，但却能使导电能力显著增强。掺杂浓度越大，其导电能力越强。 掺杂只是使一种载流子的浓度增加，杂质半导体主要靠多子导电。 计算题 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350 cm2/(V·s)和500 cm2/(V·s)。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征的电导率增大了多少倍？ 杂质半导体的电阻率随温度的变化关系 第三节 半导体的导电性 半导体材料及其能带 导电机制 PN结 半导体电学性能的测试方法 应用领域 3. 半导体PN结 与PN结直接相关的半导体器件 与PN结间接相关的半导体器件 第三节 半导体的导电性 半导体材料及其能带 导电机制 PN结 半导体电学性能的测试方法 应用领域 4. 半导体电学性能的测试方法 四探针法 霍尔效应法 扩展电阻法 伏安法（I-V） 电容-电压法（C-V） 四探针法 霍尔效应法 第三节 半导体的导电性 半导体材料及其能带 导电机制 PN结 半导体电学性能的测试方法 应用领域 5. 应用领域 微电子领域 电力/电子器件领域 光电子领域 基底材料 探测/传感器领域 半导体照明（LED) 超晶格——发光二极管的核心 太阳能电池 小结 基本概念 本征半导体 掺杂半导体 pn结 答案：一百万倍。 p-n结 + + + + + + + + + + + + p n PN结和肖特基结是几乎所有半导体元器件的基础。 U 电势 2. 内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动 n型 p型 耗尽层 1. 浓度的差别导致载流子的扩散运动 扩散运动被抑制，只存在少数载流子的漂移运动 n型 p型 耗尽层 耗尽层 U 反向偏压使耗尽区加宽 扩散 漂移 正向偏压使耗尽区变窄 U n型 p型 耗尽层 耗尽层 pn结二极管的整流效应 PN结的特征：正向导通，反向截止。 应用于逻辑运算电路之中。 太阳能电池 二极管 发光二极管 光探测器 晶体管：可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、