纳米科技导论-10-纳米技术应用集景之三-修改摘要.ppt

纳米光栅的压印制作工艺 图 12 石英模版的制作工艺 需要先在石英上用电子束蒸镀30nm的Cr； 匀上电子束胶后，用E-Beam曝光，在胶上显影出模版图形； 利用胶做掩膜，用O2 和Cl2 RIE将图形从胶上转移到Cr上； 在Remover PG中加热3小时剥去电子束胶； 利用Cr做掩膜，用CHF3和O2做RIE将图形从Cr上转移到石英上; 用Cr Remover处理15分钟，去除残留的Cr，留下石英模版。 因为母版的刻蚀深度决定了软模版的深度，从而影响到最终的压印过程，对于压印工艺非常的关键，需要小心的选择。 模版刻蚀完成后，需要放入piranha （H2SO4：H2O2 = 2:1）溶液中清洗，并用去离子水清洗，吹干，储存在干燥的环境中等待下一步防粘工艺。 图 13 利用E-beam制作的光栅模版SEM B、模版的防粘处理 采用湿法防粘工艺，使用的自组装分子层材料为全氟癸基三氯硅烷（1H,1H,2H,2H fluorodecyltrichlor osilane），防粘处理的工艺过程是： 将模版放入H2SO4：H2O2 = 2:1的溶液中清洗，并用去离子水清洗，吹干，储存在干燥的环境中。 将模版浸入含0.6 mmol/mL的 FDTS的异辛烷溶液中10分钟。 将模版取出后迅速放入异辛烷中冲洗干净，最后用丙酮和异丙醇清洗并吹干，储存在干燥环境中。 必须注意的是，因为