微波介电常数.docVIP

用谐振腔微扰法测定微波电介质的介电常数 李雪 光信息01背景：随着微波技术的飞速发展，微波材料及微波器件设计得到了深入研究。微波技术具有实时性好、可靠性强、测量精度较高、抗干扰能力强和易操作使用等优点容易实现无损耗、实时、快速测量，应用前景广阔。微波工程中广泛应用各种介质材料，微波介质材料的介电常数和介电损耗角正切，是研究材料的微波特性和设计微波器件必须了解的重要参数，因此，准确测量这两个参量十分重要。本实验介绍一种常用的测量方法，即采用谐振腔微扰法测量介质的介电常数。 一、实验目的 ⒈了解谐振腔微扰法测量介质介电常数的实验原理； 了解微波元器件，组建微波测量系统，调试系统测量介电常数。 二、实验原理 ⒈微波铁氧体的介电常数ε和介电损耗角正切tan 根据电磁场理论，电介质在交变电场的作用下，存在转向极化，且在极化时存在弛豫，因此，微波电介质的介电常数一般是复数： （1） 其中是真空的介电常数，是相对介电常数；电介质在交变电场的作用下产生的电位移滞后电场一个相位角，电介质的能量损耗与成正比， 故称为介电损耗角正切； 当1时，可以认为是“无耗介质”，近似为实数。若介质的损耗很小，常采用谐振腔微扰法测量微波介质的介电常数。 ⒉谐振腔微扰法测量微波介质的介电常数 谐振腔是封闭的金属导体空腔，具有储能、选频等特性，常见的谐振腔有矩形和圆柱形两种，我们选用矩形谐振腔。谐振腔的一个重要参量是品质因素Q，它表明谐振效率的高低,从Q值能够知道在电磁振荡延续过程中有多少功率消耗。相对谐振腔所存储的能量来说，功率的消耗越多，则谐振腔的品质因素Q值就越低，反之，功率消耗愈少，Q值就愈高。作为有效的振荡器，谐振腔必须有足够高的品质因素值。 品质因素的一般定义是 为谐振腔的谐振频率。事实上有载品质因素，可由实验测定，分别为半功率点的频率，如图1所示。 如果在矩形谐振腔内插入一圆柱形细样品，样品被极化，会导致谐振腔的谐振频率和品质因素发生改变。如果样品的体积远小于谐振腔体积，则可认为除样品位置处电磁场发生变化外，其余部分的电磁场保持不变，因此可用微扰法处理。选择TE10P(P为奇数)的谐振腔，将样品置于谐振腔内微波电场最强而磁场最弱处，即处，且样品轴向与轴平行，如图2所示。 假设介质棒是均匀的，而谐振腔的品质因素又较高，根据谐振腔微扰理论可得下列关系式： 由此可求得: 式中、分别为放入样品前后谐振腔的谐振频率；为谐振腔的体积，为样品的体积；为放入样品前后谐振腔有载品质因素倒数的变化，即： (4) ,分别为放入样品前后谐振腔的有载品质因素。由此可见通过测量、、、、、可以求得电介质的介电常数及损耗角正切。 三、实验装置 实验装置如图3所示 首先，介绍 一种微波器件——环行器，在理想的环行器中电磁波的传输只能沿标定的方向环行，例如一个三端口环行器（本实验中的T环行器），若标定的循环顺序依次为①端口→②端口→③端口，则从①端口输入的电磁波只能传输到端口②输出，则从②端口输入的电磁波只能传输到端口③输出，反向不能传输。 实验中的反射谐振腔尺寸为22.86㎜×10.16㎜×68.16㎜，理论谐振频率为： （5） 计算给定条件下谐振腔的谐振频率，信号源信号选扫频，调信号源频率使中心频率位于，调系统使检波器能按平方率检波（当电场E比较小时） 上的“小缺口”是波长计吸 收造成的，查波长计可知此 处对应的频率，由此可知用 “小缺口”可以测量频率。 在测量频率时，为了准 确，通常把谐振曲线上要测量 的点位对准显示屏上的某一条 线，然后调波长计使“小缺口”的尖端对准该线，查出频率。 四、实验内容与实验步骤 ⒈如图3所示组建实验装置； ⒉计算； ⒊信号源信号选扫频，调信号源频率使中心频率位于，工作方式置“等幅”；示波器CH1（X）选交流耦合，CH2(Y)选直流耦合；调系统使检波器能按平方率检波(若用微安表显示，电流应在10左右)，也可用精密衰减器验证，若衰减值A=分贝（调衰减角），即功率减小一半时，示波器显示屏呈现如图4曲线也下降一半距离，说明检波二极管已是平方率检波。 ⒋调节单螺调配器，使谐振曲线如图4； ⒌测量和，重复三遍； ⒍分别测量聚四氟乙烯、有机玻璃等三种样品的谐振频率和品质因素