4.3淀积.ppt

CVD系统的分类 常压化学气相淀积(APCVD) 低压化学气相淀积(LPCVD) 等离子增强化学气相淀积(PECVD) APCVD反应器的结构示意图 APCVD 操作简单，淀积速率高，适合介质薄膜的淀积。 易发生气相反应，产生污染 台阶覆盖性和均匀性比较差 质量输运控制淀积速率，对反应室结构和气流模式提出高的要求 LPCVD反应器的结构示意图 LPCVD LPCVD 表面反应速率控制淀积速率 原因：在较低的气压下，气体的扩散速率比在一个大气压下高出很多倍。 结果：对温度比较敏感，温度相对来说较易控制，对反应室结构要求不高，可放置较多的硅片。 优点 污染少，均匀性和台阶覆盖性较APCVD好 缺点： 相对低的淀积速率，相对高的工作温度 LPCVD 气缺现象：当气体反应剂被消耗而出现的反应剂浓度改变的现象 措施： 在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高淀积速率 采用分布式的气体入口 增加反应室中的气流速度 平行板型PECVD反应器的结构示意图 PECVD PECVD 最常用 反应激活能：通过非热能源的射频（RF）等离子体来激活和维持化学反应。 低温淀积 应用：在Al上淀积二氧化硅或氮化硅 较高的淀积速率 表面反应速率控制淀积速率，精确控制衬底的温度，可得到均匀的薄膜。 PECVD 等离子体中的电子与反应气体分子碰撞 反应气体分子分解成多种成份：离子、原子及活性基团 活性