第3章溅射法素材.pptVIP

（3）溅射条件： 工作气压1.0Pa，溅射电压1000V，靶电流密度1.0mA/cm2,薄膜沉积速率低于0.5μm/min。 （４）射频溅射法的特点 　　　a、能够产生自偏压效应，达到对靶材的轰击溅射，并沉积在衬底上； 　　　b、自发产生负偏压的过程与所用靶材是否是导体无关。但是，在靶材是金属导体的情况下，电源须经电容耦合至靶材，以隔绝电荷流通的路径，从而形成自偏压； 　　　c、与直流溅射时的情况相比，射频溅射法由于可以将能量直接耦合给等离子体中的电子，因而其工作气压和对应的靶电压较低。 相对于蒸发沉积来说，一般的溅射沉积方法具有的两个缺点： 　a、沉积速率较蒸发法低； 　b、所需工作气压较高，否则电子的平均自由程太长，放电现象不易维持。 　　　从而导致薄膜被污染的可能性较高。磁控溅射法则因为其沉积速率较高（比其他溅射法高出一个数量级），工作气体压力较低而具有独特的优越性。 　　　 ３ 磁控溅射 磁控溅射设备 磁控溅射仪（型号JGP-560） 磁控溅射装置示意图 实验样品 （1）磁控溅射的基本原理 当电子在正交电磁场中运动时，由于受到洛仑兹力的影响，电子的运动将由直线运动变成摆线运动，如图所示。电子将可以被约束在靶材表面附近，延长其在等离子体中的运动轨迹，提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率。这样，既可以降低溅射过程的气体压力，也可以显著提高溅射效率