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1. 带电粒子在均匀磁场中的运动 粒子的运动轨迹为一螺旋线。 2. 带电粒子在电场和磁场中的运动 (2)质谱仪 (3)回旋加速器 目前世界上最大的 3.霍尔效应 （3）霍尔效应的应用： 11.6.2 磁场对电流的作用——安培力 例： 一铅直放置的长直导线，通有电流I1，另一 例： 半径为R的半圆线圈ACD通有电流I2，置于 3.平行电流间相互作用力 11.6.3 磁场对载流线圈的作用 如线圈有N 匝，则线圈所受的磁力矩为： 讨论： 例： 如图，一个边长 l = 0.1m的正三角形载流 例题 电子绕核运动相当一圆电流，这圆电流的 * 当带电粒子以速度v运动时，受磁力 F 大小与 磁场B、速度v 成正比，并与θ有关。 11.6 磁场对运动电荷及电流的作用 11.6.1 磁场对运动电荷的作用——洛仑兹力 电荷量为q，质量为m的正粒子，以初速度v进入磁感应强度为B的均匀磁场。 粒子将在垂直于磁场平面内作匀速圆周运动，其半径为： 周期为： 带电粒子以 ? 角进入磁场，在垂直 B 的方向上作圆周运动，在平行于 B 的方向上作匀速直线运动。 质量为m，带电量为q的粒子，在电场强度为E，磁感应强度为B的均匀电磁场中以速度v运动，其所受到的合力为： 带电粒子的运动方程： (1)滤速器： 要想速率为v的粒子从S射出，必须满足条件： 只有此速率的粒子能通过滤速器射出。 知:质量大的同位素粒子，轨道半径大，质量小的同位素粒子，轨道半径小。不同质量的粒子在胶片屏上留下不同的质谱线。 质谱线 R B’ 胶片屏 + + + - - - v E 速度选择器 Fe fL B 用于同位素分析的仪器。 同位素 有相同的质子数和电子数，但中子数不同的元素。它们的化学性质相同，无法用化学的方法将它们分离开。由： 根据质谱线的位置，可推出同位素的质量。 用于产生高能粒子的装置，其结构为金属双 D 形盒，在其上加有磁场和交变的电场。将一粒子置于双 D形盒的缝隙处，在电场的作用下，进入左半盒。带电粒子在磁场的作用下作圆周运动，进入缝隙后，电场极性变换，粒子被反向加速，进入右半盒，由于速度增加，轨道半径也增加。然后又穿过缝隙，电场极性又变换，粒子不断地被加速。能量不断增大，成为高能粒子后引出轰击靶。 ~ B 回旋加速器在美国费米加速实验室，环形管道的半径为2公里。产生的高能粒子能量为5000亿电子伏特。 世界第二大回旋加速器在欧洲加速中心，加速器分布在法国和瑞士两国的边界，加速器在瑞士，储能环在法国。产生的高能粒子能量为280亿电子伏特。 (1)原因: 是由于运动电荷在磁场中受洛伦兹力的结果。 载流导体放入磁场 B中，在导体上下两表面产生霍尔电压的现象。 I v B b d fL VH E Fe (2)讨论 ①由于导体内有大量的自由电荷，n 较大，霍尔系数KH 较小，故导体的霍尔效应较弱。 ②而半导体界于导体与绝缘体之间，其内的自由电荷较少，n 较小，KH 较大，故半导体的霍尔效应显著。 半导体根据掺杂不同，有空穴型（p型）半导体，和电子型（n型）半导体。 P型半导体的主要载流子为正电荷； n型半导体的主要载流子为负电荷； fL v v fL I VH B B VH I n 型半导体 P 型半导体 ①判断半导体的类型。 ②确定载流子浓度n 通过测定霍尔系数KH，可求得n ③测磁场B。 ⑤磁流体发电 ④测电流I。 1820年，安培试图建立一个对所观察到的磁力作用普遍适用的数学方程式, 就象牛顿万有引力定律那样的普遍公式。这就需要找出磁场和无限小载流线元之间的相互作用。经过4个月的努力,安培得到了这个关系, 提出了著名的安培定律。这是安培电学研究的一项重要发现, 为安培赢得了很高的荣誉, 麦克斯韦称安培是“电学中的牛顿”。 在电流元内作定向漂移的电子数 ： 这些电子在磁场中受到的总洛仑兹力，就是电流元在磁场中所受的安培力 ： （1） dF的方向垂直于 Idl和B决定的平面，指向按右手螺旋法则决定。 （2）一段载流导线所受安培力 矢量积分必须先投影后再积分！ 1.均匀磁场中曲线电流受的安培力，等于从起点到终点的直线电流所受的安培力。（以直代曲） 与长为L的直电流受力相同。 B L a b I （1）设磁场在曲线电流ab所在平面内。 z x y 2.非均匀磁场中电流受的安培力必须积分计算。 （2）设磁场在曲线电流ab所在平面内。 投影后再积分！ 与长为L的直电流受力相同。 z x y 水平直导线，长为l2，通有电流I2，其始端与铅直载流导线相距l1 ，求水平直导线上所受到的力。 解：取一段电流源I2dl，此处的磁感应强度可认为相等，为： I2