14_8051F410SOC单片机精品课件.pptVIP

8051F410单片机 Silicon F410引脚图LQFP32 CPU 51单片机内核： 与 MCS-51 指令集完全兼容 采用流水线结构，机器周期由标准的 12 个系统时钟周期降为 1 个系统时钟周期。 时钟频率最高50MHZ CPU 时钟 内部可编程时钟振荡器 频率 24.5MHZ ±2% 可分频（时钟乘法器），可微调 外部振荡器 石英晶体 R-C C smaRTClock振荡器 可编程内部振荡器 C8051F41x器件包含一个可编程内部振荡器，该振荡器在系统复位后被默认为系统时钟。该振荡器的周期可以通过OSCICL寄存器编程进行校准。出厂时已经过工厂校准，频率为24.5 MHz。 系统时钟选择CLKSEL 外部振荡器控制寄存器 OSCXCN 系统时钟切换 若使用外部时钟（晶振），则要配置XTAL1和XTAL2为模拟输入，并使能外部石英晶体振荡器，待振荡器工作稳定后，由内部时钟切换到外部时钟。 P1MDIN = 0xFC; P1SKIP = 0x03; OSCXCN = 0x67; for (i = 0; i 3000; i++); while ((OSCXCN 0x80) == 0); CLKSEL = 0x01; CPU 复位： 7 个复位源： 片内 VDD监视器复位 看门狗定时器复位 时钟丢失检测器复位 由比较器 0 提供的电压检测器复位 FLASH错误复位 强制软件复位 /RST 引脚复位，该 引脚是双向的，可接受外部复位或将内部产生的上电复位信号输出到/RST 引脚。 除了 VDD监视器和复位输入引脚以外，每个复位源都可以由用户用软件禁止。 复位源寄存器 RSTSRC RTC0RE：smaRTClock（实时时钟）复位使能和标志 FERROR：FLASH错误标志 C0RSEF：比较器0复位使能和标志 SWRSF： 写“1”软件强制复位和标志 WDTRSF：看门狗定时器复位标志 MCDRSF：时钟丢失检测器使能和标志 PORSF：上电复位使能和标志 PINRSF：硬件引脚复位标志 数据存储器 有标准 8052 的数据存储器配置 包括 256 字节的数据 RAM，其中高 128字节为两个地址空间。 数据 RAM 的低 128 字节可用直接或间接寻址方式访问。 用间接寻址访问通用 RAM 的高 128 字节 用直接寻址访问 128 字节的 SFR 地址空间。 前 32 个字节为 4个通用工作寄存器区 接下来的 16 字节既可以按字节寻址也可以按位寻址。 数据存储器 使用外部数据存储器地址空间的扩充RAM 容量 2048 Byte 地址： 0000~07FF 用MOVX指令读写 F410特殊功能寄存器(SFR) FLASH存储器 程序存储器为可在系统编程的FLASH存储器 程序存储器 512 字节为一个扇区 容量 32K 地址 0000~7FFF，其中0x7E00以上的地址保留。 位于FLASH用户空间的最后一个字节（ 0x7DFF）中的安全锁定字节保护FLASH存储器，使其不能被非保护代码或通过C2接口读、写或擦除。FLASH安全机制允许用户从0页（地址0x0000 ~ 0x01FF）开始锁定n个512字节的FLASH页，其中n是安全锁定字节的反码。 注意：在没有其它FLASH页被锁定时（锁定字节的所有位均为1），包含FLASH安全锁定字节的页不被锁定。当任何一个其他FLASH页被锁定时（锁定字节有任何一位为0），包含FLASH安全锁定字节的页也被锁定。 FLASH存储器 FLASH存储器可以作为非易失数据存储器使用 可以在系统擦除 用MOVX指令写入 用MOVC指令读出 擦除、写入按扇区操作。 擦写周期10万次 FLASH擦除步骤 1． 禁止中断（建议这样做）。 2． 向FLKEY写第一个关键码：0xA5。 3． 向FLKEY写第二个关键码：0xF1。 4． 置1程序存储器擦除允许位（PSCTL中的PSEE），以允许FLASH扇区擦除。 5． 置1程序存储器写允许位（PSCTL中的PSWE），以允许FLASH写入。 6． 用MOVX指令向待擦除页内的任何一个地址写入一个数据字节。 7． 清除PSWE和PSEE位。 8． 重新使能中断。 写FLASH步骤 1． 禁止中断（建议这样做）。 2． 清除FLBWE位（寄存器PFE0CN），以选择单字节写方式。 3． 向FLKEY写第一个关键码：0xA5。 4． 向FLKEY写第二个关键码：0xF1。 5． 将PSWE位（寄存器PSCTL）置1。 6． 清除PSE