1章半导体器件终稿.ppt

1.3.1 结型场效应管 0UGSUGS(off)，且 UDS0,UDG=?UGS(off) ?时 N G S D UDS ID UGS N N P+ P+ 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 N G S D UDS ID UGS N N P+ P+ UDS增大则被夹断区向下延伸。 0UGSUGS(off)，且 UDS0,UDG?UGS(off) ?时 预夹断以后，随着UDS增大，虽然夹断区变长，但夹断区场强也增大，所以电流ID基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 1.3.1 结型场效应管 1.3.1 结型场效应管 三、特性曲线 (N沟道为例) 输出特性曲线 UGS=0V iD u DS 0 -1V -3V -4V -5V -2V IDSS UGS(off) 恒流区 可变电阻区 击穿区 预夹断轨迹 1.3.1 结型场效应管 转移特性曲线 uGS 0 iD IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 夹断电压 ★结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 1.3.1 结型场效应管 一、结构和电路符号 N沟道增强型 1.3.2 绝缘栅场效应管 P N+ G S D P型基底 两个N+区 SiO2绝缘层 金属铝 N+ G S D B MOS:金属-氧化物-半导体 N 沟道耗尽型 1.3.2 绝缘栅场效应管 G S D B P G S D 予埋了导电沟道 N+ N+ UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压：硅管0.5V，锗管0.2V。 一、输入特性曲线 1.2.2 三极管的基本特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 1.2.2 三极管的基本特性 二、输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 1.2.2 三极管的基本特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 1.2.2 三极管的基本特性 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 1.2.2 三极管的基本特性 1.2.2 三极管的基本特性 三、三极管的开关特性 当输入 uI 为低电平，使 uBE Uth（死区电压）时，三极管截止。 iB ≈ 0，iC ≈ 0，C、E 间相当于开关断开。 三极管关断的条件和等效电路 IC(sat) A O iC M N T 负载线 临界饱和线 饱 和 区 放大区 截止区 uBE Uth B E C 三极管 截止状态 等效电路 uCE UCE(sat) IB(sat) S uI=UIL uBE + - (一)开关作用 1.2.2 三极管的基本特性 IC(sat) A uCE UCE(sat) O iC M N IB(sat) T S 临界饱和线 饱 和 区 放大区 截止区 uI=UIH 三极管开通的条件和等效电路 当输入 uI 为高电平，使iB ≥ IB(sat)，三极管饱和。 uBE + - uCE ≈ UCE(sat) ≈ 0.3V ≈ 0，C、E 间相当于开关合上。 iB ≥ IB(sat) B E UBE(sat) C UCE(sat) 三极管 饱和状态 等效电路 1.2.2 三极管的基本特性 iB 愈大于 IB(Sat)， 则饱和愈深。 由于UCE(Sat) ≈ 0，因此饱和后 iC 基本上为恒值， iC ≈ IC(Sat) = 开关工作的条件 截止条件 饱和条件 uBE