高电压技术复习总结..docxVIP

高电压复习总结闪　络: 沿着整个固体绝缘表面发生的放电。在放电距离相同时，沿面闪络电压低于纯气隙的击穿电压。污闪：由于污秽导致产生的闪络，对电力系统造成的损失 最大。目前，世界上应用最广的划分污秽等级的方法是等 值盐密法。我国规定的标准冲击电压波形主要有以下几种。标准雷电冲击电压波 标准雷电截波 标准操作冲击电压波冲击电压下的气隙击穿特性：50%冲击击穿电压 （U50% )，击穿百分比为50%时的电压。 伏秒特性，气隙的冲击击穿电压与放电时间的关系。“棒—棒”气隙具有 完全的对称性，而“棒—板”气隙具有最大的不对称性。要提高气隙的击穿电呀不外乎两种途径： 一是改善气隙中的电场分布，使之尽量均匀；二是设法消弱或 抑制气体介质中的电离过程。具体方法有：、改进电极形状以改善电场分布 利用空间电荷改善电场分布 采用屏障 采用高气压 采用高电气强度气体 采用高真空 电场的不均匀程度对SF6 电气强度的影响远比对空气的的 大， SF6 的优异性能只有在电场比较均匀的情况下才能得到充 分的发挥。一切电介质在电场的作用下都会出现极化、电导和损耗等 电气物理现象。不过气体介质的极化、电导和损耗都很微弱， 一般均可忽略不计。所以真正需要注意的只有液体和固体介质 在这方面的特性。电介质的极化是电介质在电场作用下，起束缚电荷相应于 电场方向产生弹性位移现象和偶极子的取向现象。电介质极化的强弱可用介电常数ε的大小来表示，它与该 电介质分子的极性强弱有关，还受温度外加电场频率等因素的 影响。 电解质： 击穿，电导，极化，损耗。介质损耗角 δ 为功率因数角 φ 的余角，其正切 tgδ 又可称 为介质损耗因数，常用百分数（%）来表示。 关于纯净液体介质的击穿机理有各种理论，主要可分为两 大类，即电子碰撞电离理论和气泡击穿理论，前者亦称电击穿 理论。气泡电离后温度上升、体 积膨胀、密度减小，这促使电离近一步发展。电离产生的带 电离子撞击油分子，使它又分解出气体，导致气体通道扩大 。如果许多电离的气泡在电场中排列成气体小桥，击穿就可 能在此通道中发生。 固体介质的击穿：电击穿理论固体介质的电击穿是指仅仅由于电场的作用而直接使介质 破坏并丧失绝缘性能的现象。热击穿是由于固体介质内热不稳定过程造成的。如果发热大于散 热，介质温度将不断上升，导致介质分解、熔化、碳化或烧焦 ，从而发生热击穿。固体介质在长期工作电压的作用下，由于介质内部发生局 部放电等原因，是绝缘劣化、电气强度逐步下降并引起击穿的 现象称为电化学击穿。 组合绝缘常见的形式是由多种介质构成的层叠绝缘。各 层最理想的分配原则是：使组合绝缘中各层绝缘所受的电场强度与其电气强度成正比。 绝缘试验按后果分可分为:非破坏性试验和破坏性试验. 绝缘电阻是一切电介质和绝缘结构的绝缘状态最基本的综合性特性参数.吸收比：电流衰减过程中的两个瞬间测得的两个电流值或两个相应的绝缘电阻值之比. 吸收比用来检测绝缘是否严重受潮或存在局部缺陷. 吸收比恒大于1,且K1值越大表示吸收现象越显著、 绝缘的性能越好；一旦绝缘严重受潮或有大的缺陷时Ig显 著增大，K1值接近于1绝缘电阻：在绝缘上施加一直流电压U时,此电压与出现的 电流I之比揭示绝缘整体受潮、局部严重受潮、存在贯穿性缺陷介质的功率损耗和介质损耗角正切tgδ成正比， tgδ 是绝缘品质的重要指标 tgδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的局部 性缺陷 ，若取R4=1000/π(Ω) 则tgδ=C4 局部放电检测分：电气检测和非电检测 击高电压试验所需的冲击高压往 往高达数兆伏，应而要采用多级叠加来产生波形和幅值 都能满足需要的冲击高电压波。，它的基 本工作原理可概括为“并联充电，串联放电”， 在充电过程中火花球隙均不击穿，各球隙支路呈开路 一旦第一对球隙F1击穿，各级球隙F2.F3.F4 将迅速 依次击穿，各台电容器将串联起来发生器立即由充电状 态转为放电过程，第一对球隙F1称为“点火球隙” 国际国家标准规定高电压测量误差在±3％以内。 过电压就是指电系统中出现 的对绝缘有危险的电压升高和电位升高电源电动势为 两倍的入射电压，Z1作为负载电阻，用这种等值电路 来计算一次波过程的方法称为彼得逊法则。 如果在油隙中放置尺寸、形状与电极相适应、厚度为1～ 5mm的层压纸板（筒）或层压布板（筒）屏障，那么它既能阻 止杂质小桥的形成又象气体屏障那样拦住一部分带电粒子，使 电场变得比较均匀。电场越不均匀，放置屏障的效果越好。 可见在极间距离d=d1+d2 保持不变的情况下的情况下，增 大屏障的总厚度d2 ，将使油中E1 增大。即在油隙中放置多个 屏障，会使油中电场强度显著增大，反而不利 线路的耐雷性能：耐雷水平：雷击线路时，能引起绝缘 闪络的最小雷电流幅值。雷击跳闸率：雷