3.讲座之二 -- LD参数精品课件.pptVIP

第一部分 半导体激光器简介 第二部分 半导体激光器基本工艺 第三部分 半导体激光器光电参数 第四部分 半导体激光器可靠性 3、激光器参数种类 3.1 电学参数 阈值电流--Ith 正向电流--IF 正向电压—VF 反向电压—VBR 微分串联电阻—Rs 监视电流—Im MPD暗电流--ID 3.2 光学参数 输出功率--Po 峰值波长--λp 光谱半宽—Δλ 边模抑制比—SMSR(仅对DFB LD) 光束半角—θ 消光比—EXT 3.3 热学参数 LD热阻： RT LD 特征温度：T0 发射波长与温度的关系参数： Δλ(nm/℃) 3.3 其它参数 跟踪误差--TE 相对强度噪声--RIN 上升/下降时间—tr/tf 载止频率--fc 4. 参数说明 4.1 Ith—阈值电流 定义：在正向电流注入下，LD开始振荡(开始发 出激光)时所需要的电流 测量Ith的方法有三： 双斜率法—两条直线延长线交点所对应电流轴的电流 远埸法—用变象管荧屏观察 光谱法—从发射的光谱图上确定Ith 典型P-I/V-I/I-Im曲线 达到阈值时的必要条件 式中： αi 腔体内部损耗系数 L： LD腔长 R1R2： LD端面反射系数 4.2 IF--工作电流 定义：在规定激光器的输出功率下所对应电 流轴的电流值(IF=Ith+ΔI) 4.3 VF/Vop--正向导通电压/正向工作电压 定义： 在正向驱动电流IF=1mA时所对应X轴交点处的值即 为VF 在正向驱动电流IF=Ith+20mA时所对应X轴交点处的 值即为Vop VF/VOP:正向导通电压/正向工作电压 4.4 VBR/IR--反向击穿电压/反向电流 定义： 在规定的反向电流下所对应于U轴(x轴)的反 向电压值就是VBR 在规定的反向电压下所对应于I轴(y轴)的电 流就是反向电流IR(μA) VBR:反向击穿电压 4.6 RS微分串联电阻(单位：Ω) 公式表达式为： 　　　 　　 从式中可以看出：要想降低Rs，就必须减小ΔV 要想减小ΔV，就必须提高表面浓 度和增加表面接触面积以及提高 表面附着力 4.7 Im:监视电流(单位：μA) 　　通过MPD检测到的LD在规定(Ith+20mA)的光输出功率下，在给定的MPD反向电压(Vb=5V)时所检测到的LD背向输出光功率的光电流值 作用：在模块应用中执行自动功率控制（APC） 取值：Ｉm=300～800μA　 4.8 Id:MPD暗电流(单位为nA) 　　 它是指MPD无光照时，在规定的反向电压(Vb=5V)下所产生的热电流—为暗电流。 暗电流与温度呈线性增加，与足够大的反向偏压无关(即： Vb＜ VBR情况)。 4.9 Po：光输出功率(单位：mW) 定义：当LD正向偏置时，在规定的工作电流（Ith+20mA）下所探测到的输出光功率值 　　 4.10 Pth：阈值光输出功率(单位mW) 定义：阈值以下自发辐射的光输出功率定义为阈值光输出功率 　　 4.11 ηd：外微分量子效率(单位：mW/mA) 定义：阈值以上P-I曲线线性段dI/dP之比，它是衡量器件把注入的电子-空穴对转换成向外发射光子(输出功率)的效率。 用公式可表示为： 式中：η受激—受激发射的内量子效率 αi—腔体内部损耗 L– 器件腔长 R—器件端面反射 4.11 ηd：外微分量子效率(单位：mW/mA) ηi 为内微分量子效率; αi 为腔体损耗; L为激光器腔长; R为腔体端面反射率; Г为光限制因子; A、B为增益系数; d为有源层厚度。 从式(3)可以看出, 要降低Jth 就要减小d和增大Г, 以及增大L。但是, 我们从图5中可以看出, 要想增大Г则需要增大d。因而, 要同时减小和增大Γ是不可能的。同样, 增加L可以降低Jth , 但是从式(4)可知, 增加L不会使ηD 降低, 因此对结构参数的选择就需要兼顾Jth 和d, 我们取d=1.0～1.5, L=400～500μm。 ηd：外微分量子效率 4.12 λp / λc/ λmean/Δλ ：峰值波长/中心波长/平 均波长/光谱半宽 定义： 在LD规定的光输出功率下，光谱内若干发射模式中最大强度的光谱波 长被定义为峰值发射波