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* * Semiconductor Devices 横向结构参数的设计 2。发射极引线孔尺寸的确定： 发射区条宽8?m,最小套刻间距2 ?m： 引线孔宽度为4 ?m 3。浓、淡基区窗口尺寸的确定： 由于发射区扩散较浅，故可以忽略其横向扩散，浓基区扩散深度2.5?m,假定其横向扩散为纵向深度的一半，即1.25 ?m,作为近似估算，操作对位误差为0.75 ?m,光刻版的误差及侧向腐蚀误差为1 ?m：总的间距大于3 ?m。所以取Seb=4 ?m * * Semiconductor Devices * * Semiconductor Devices 横向结构参数的设计 4。铝金属电极尺寸的确定 5。光刻版图形尺寸： 最小光刻间距2?m Se=8?m le=60?m n=90 单元E引线孔宽度4?m 单元E引线孔长度46?m 单元淡基区宽度16?m 单元淡基区长度68?m 浓基区网格宽度Sb1=5?m 基极引线孔的宽度Sb2=10?m 淡基区轮廓792?196?m2 浓基区轮廓794?198?m2 LE=1.2cm 结面积 AE= 4.32?10-4cm2 基区结面积AB=AC= 1.57?10-3 cm2 ? * * Semiconductor Devices 主要参数验算（略） * * Semiconductor Devices §3.7 异质结晶体管H