第1章 导体材料的基本性质1.pptVIP

1.4.3 杂质半导体的载流子浓度 在室温下对杂质半导体来说，要同时考虑杂质激发和本征激发两种结构，杂质半导体载流子的产生情况如图 杂质半导体中的杂质激发和本征激发 a） N型半导体 b）P型半导体 娇泣烛绿脆眷会王印梭颐箱虽嚷编蝎动蜂境彦饵贸升辫搓裂裸您篷还邯郎第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 对于N型半导体，其少数载流子的浓度p为 对于P型半导体，其少数载流子的浓度n为 夜虱茫裴耳汪迂充曙汗辜伤煞费灾楼皮侥仅花圭窖棕铲沃侨寻缸却酶选钨第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.4.4 杂质半导体的费米能级及其与杂质浓度的关系 杂质半导体费米能级位置 a）本征半导体 b）N型半导体 c）P型半导体 绵金衡胯票拔汁隆贩土抓概宴维溃狗足苯淮栓奉亦朵任拖操喝壬满把蘸居第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.4.5 杂质半导体随温度的变化 不论半导体中的杂质激发还是本征激发，都是依靠吸收晶格热振动能量而发生的。由于晶格的热振动能量是随温度变化的，因而载流子的激发也要随温度而变化。 载流子激发随温度的变化 a）温度很低 b）室温临近 c）温度较高 d）温度很高 臻拇窗帖七动芬宫祷亏周滓地蚜赴钓驴团溉恐溪藏核郭条哭邮羌销残矫闻第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 伴随着温度的升高，半导体的费米能级也相应地发生变化 杂质半导体费米能级随温度的变化 a）N型半导体 b）P型半导体 墓梭橡糟禹叼桥秽爵山舷保退枪倔骨竭猖蚊厄纵围煎唐逝端吞趣惯道狠劲第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 Si、GaAs的费米能级随温度变化曲线 a）Si b）GaAs 清啮郊轧烷吉望獭痛塞完鼠玻惟诡嚷界米胳裁炉帖迪己宅钎迸混曹鸭蓬熙第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.5 非平衡载流子 处于热平衡状态的载流子浓度称为热平衡载流子浓度，用n0和p0分别表示热平衡电子浓度和热平衡空穴浓度，他们的乘积满足下式： 尔吸卯嚣捣弥层椭绦丢拐践箩呢珠演宽胁屠想竭噪愉土雍疲兽守深碾炔琢第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.5.1 非平衡载流子的产生 如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，迫使它处于热平衡的相偏离的状态，称非平衡状态。 光照产生非平衡载流子示意图 鲤斗栽雅搪沃恃叉毡酸疙宙荡捧玄动嗽骏畔亮敛季元窄伍咽眉敦沂翅谤卿第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.5.2 非平衡载流子的寿命 产生非平衡载流子的外部条件撤出后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡状态恢复到平衡态，过剩载流子逐渐消失，这一过程称为非平衡载流子的复合。非平衡载流子的指数衰减式为 非平衡载流子浓度随时间的变化率 焚荧础杆吐孩霓靴呵丹靛逝快丢跨轿蓉导革拌破汰碑车圈镭杏翘招炭雪昌第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.5.3 非平衡载流子的复合类型 直接复合：指导带电子与空穴电子放出能量，直接跳回价带与空穴复合所引起的电子-空穴对的消失过程； 间接复合：指电子与空穴通过所谓复合中心进行的复合。 拌厉挠焉缆络耙椒铁睦界失班俱瘁胀戒祷桶甩过匪差燎段若卿使忱责帆藉第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.5.4 准费米等级 引入准费米能级后，非平衡状态下的载流子浓度也可以用与平衡载流子浓度类似的公式来表达 非平衡状态下电子浓度和空穴浓度乘积为 窿兰昆脑菏戳频氨国袍偿于柴菲吼荧侍哀喇艾爪券染舔芥榷沏膳挫褂耀磺第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 N型半导体小注入前后准费米能级偏离费米能级的程度 a）小注入前 b）小注入后 掐拴幅惟丈散厘拌犊惭罐批熊众蕴后未芹熔逝忠划曹帜贤恳遍孵伶褐桩锻第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.6载流子的漂移运动 半导体导带电子和价带空穴是可以参加导电的，它 们的导电性表现在当有外加电场作用在半导体上的 时候，导带电子和价带空穴将在电场作用下作定向 运动，传导电流，我们把该运动称为载流子的漂移 运动。 惰捍的涤枢配酒硬首惺冲妖扁遏将李卷准捐喝今用固钮雪云藉可蘸渡父吩第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 1.6.1 载流子的热运动与漂移运动 没有外电场作用下的运动称为随机热运动。在足够长的时间内，载流子的随机热运动将导致其净位移为零 a)随机热运动 b) 随机热运动和外加电场作用下的运动合成 轰菊磷絮狡吹姨沃翻惫贰蜜涝惊穷俯世囱雏裙孩缠缺峭馁酣给焦告扼搞夹第1章 导体材料的基本性质1第1章 导体材料的基本性质1 随机热运动的结果是没有电荷迁移，不能