MOS_设计选型.docVIP

MOSFET 设计选型指导 1、目的： 2 2、适用范围： 2 3、背景说明： 2 3.1 制作MOSFET指导书的必要性： 2 3.2 MOSFET的内部结构图及封装图： 3 3.3 瑞谷MOSFET类别（简介范围）： 3 4、MOSFET知识介绍 3 4.1 MOSFET工作原理图 3 4.2 MOSFET类型和主要特性 5 4.3 主要参数介绍及定义 6 4.3.1 最大额定参数 6 4.3.2 静态电特性 10 4.3.3 动态电特性 12 5、运放案例分析: 14 6、器件设计选型注意事项 15 1、目的： 提升技术人员对MOSFET器件的了解水准，并通过后续不断升级和完善,可形成具有实际指导性的文件； 避免电路设计不匹配，器件选型、器件替代错乱等等； 2、适用范围： 本指导书适用于对MOSFET知识学习，设计选型号及替代。 3、背景说明： 3.1 制作MOSFET指导书的必要性： 在2010年MOSFET出现了两个品牌失效： 客户端IPS 品牌失效：2010年，AP54在客户端失效MOSFET超过40PCS，该器件为IPS 品牌型号FTA06N65，规格650V 6.5A； 生产线 AOS 品牌失效：2010年九月份，AP54产品在手动OVP测试时，一天时间失效了10PCS MOSFET，品牌：AOS，型号：AOTF7N65，规格：650V 7A；除了OVP工位外，其他测试工位也有零星失效； 针对出现的这些问题，我们不仅要立即处理失效品保证正常生产出货，更重要的是怎样做到预防和避免。因此，制定MOSFET设计选型指导书很有必要； 3.2 MOSFET的内部结构图及封装图：（举例） 3.3 目前瑞谷MOSFET类别（简单介绍）： TO-220：40V/202A---800V/11A SO-8 ：12V/25A ---200V/ 4A DPAK ：30V/90A----800V/ 3A D2PAK：30V/90A---500V/12A TO-3P ：200V/42A—900V/11A 4、MOSFET知识介绍 4.1 MOSFET工作原理图： 图1 MOSFET（N沟增强型）结构 图2 Vgs=0 栅极G无感应电荷 图3 Vgs 〉0 产生电场 图4 Vgs增大,形成耗尽层 图5 Vgs继续增大吸引衬底电子 图6 Vgs= Vt衬底电子形成反型层， 反型层即导电沟道 图7 VgsVT Vds0 产生Id 图8 Vds不变，Vgs增加 Id增加 图9 Vds大于夹断电压 Id饱和， Vgs不变，Vds增加 Id增加 电流不再随Vds增加而增加 4.2 MOSFET类型和主要特性 N-MOSET：增强型— 耗尽型-- P-MOSET：增强型-- 耗尽型-- 上图转移特性 下图输入输出特性 4.3 主要参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25) VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数 ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25（Tcase）也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃）的一半，通常在1/3～1/4。补充，如果采用热阻θJA的话可以估算出特定温