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第三章 单一白光层掺杂型OLED器件的制备及性能分析 3.1 OLED器件的制备工艺 有机电致发光器件的制作工艺实际上是薄膜工艺和表面处理技术[18,19],本实验室制备WOLED器件的基本步骤分为以下几步： 图3.1 有机电致发光器件制作工艺流程 Fig.3.1 Fabrication process of OLEDs 基片刻蚀 在有机电致发光器件中，大多采用覆盖氧化铟锡 (ITO)薄膜的透明导电玻璃作器件的阳极。本实验所用的玻璃基片上的ITO采用磁控溅射成膜，ITO膜的厚度为50 nm，薄层电阻约为Ω/口。实验中先在ITO薄膜覆盖的玻璃基片上用透明胶带对基片进行掩膜，将mm宽的条形小单元，以锌粉覆盖整个基片。稀盐酸锌粉ITO进行腐蚀，揭去胶带基片的清洗 将刻蚀好的ITO基片放在去离子水中超声清洗，异丙醇最后红外干燥箱中烘干，立即放入真空镀膜室中。某些情况下为了提高ITO膜表面的功函数，降低与相邻有机薄膜层之间的空穴注入势垒，增强层间的附着力并除去ITO表面的污染，可以采用一些途径对ITO膜表面进行清洁处理，其中包括低压等离子体处理，紫外臭氧处理[20， 21， 22]。目前来看，最有效的方法是低压氧等离子体处理。 有机功能层的成膜 有机层的成膜是电致发光器件制备的关键。实验中，对于小分子材料采用传统的真空蒸发镀膜，BOC Edwards Auto-500 Thermal Evaporation Coating System with M. Braun 20G Glove Box，蒸沉积条件为：真空度×10-4 Pa，蒸发时间视不同的发光材料而定，一般的遵循规律为。对于聚合物材料采用旋转涂覆(spin coating)工艺成膜。 当各有机功能层成膜完毕后，接着就进行阴极的制备。一般来说，为了提高电子的注入效率，要求选用功函数尽可能低的金属材料做阴极，如MgCa、LiF/Al等。但是低功函数的金属化学性质活泼，它们在空气中易于被氧化，对器件的稳定性不利。 从金属膜的稳定性和工艺方面的因素考虑，本实验采用Mg:Ag合金做阴极，其制备也采取真空蒸镀法成膜，蒸发条件与小分子材料成膜条件相同。在后面的实验中Al来。 3.2 颜色互补型白光OLED器件的制备及性能研究 3.2.1 荧光染料的掺杂机制 激发态回到基态有几种失活的途径，包括辐射跃迁、化学反应、热振动等，只有辐射跃迁回到基态的过程才能产生发光。荧光是激发单重态分子失活到基态释放出的辐射能量，磷光是激发三重态失活到基态所释放的辐射能量。由于有机电致发光的材料大多数是荧光材料，被电子和空穴复合而激发的三重态都以非辐射跃迁的方式失活，所以器件的内量子效率在理论上的极限为25%，这极大地限制了器件的外量子效率。 因此要充分利用激发的三重态发光，减少非辐射跃迁的几率。具体的做法是将高效荧光染料或磷光染料掺杂在主体材料中，通过激子将能量从主体传递到染料中心，使染料发光，从而达到提高发高效率的目的。为此我们考虑将红荧烯Rubrene掺杂到Zn(BTZ)2中，因为红荧烯Rubrene是一种常用的高效橙红色荧光色染料，也是一种用于OLED的很好染料，它的发射峰在562nm。一般认为具有芳香稠环的分子结构稳定性较好，Rubrene即具有芳香稠环分子结构(如图3.2.1)，并且具有相对高的荧光量子效率(溶液中接近100%)。它可以掺杂在电子传输性材料中，也可以掺杂在空穴传输性材料中。 同时由于Rubrene是一种单氧淬灭剂，它能有效地俘获薄膜中的氧而提高掺杂层的抗氧化能力，根据sato等人[23]的研究表明，Rubrene的掺杂能改善掺杂膜的结构，提高膜的稳定性，阻碍器件存储过程中黑斑的形成。而且Rubrene还能够抑制母体Zn(BTZ)2的微晶化和聚集，使得母体可以提供更多的载流子陷阱位置，增加电子和空穴的复合几率，从而能够控制复合发光区的位置[24]。并且由于Rubrene的HOMO能级和LUMO能级位于Zn(BTZ)2之间(见图3.4)，它可以作为势阱材料使用，在Zn(BTZ)2掺有Rubrene的区域，对载流子有很强的限制作用。所以掺杂Rubrene后器件的发光效率和寿命将有很大的提高，同时可以改变发光颜色。因此Rubrene是一种比较理想的荧光掺杂剂。 3.2.2器件制备 为了制备单一白光层电致发光器件，我们以色度学原理中的两种互补色合成白光为依据，即由两种光混合所生成的光的色坐标在这两种光源色坐标的连线上。本节我们选用高效的橙红色荧光染料Rubrene掺杂到发蓝绿光的金属螯合物小分子材料Zn(BTZ)2中作为白光层，利用旋转涂覆和真空蒸镀法，将聚合物和小分子依次成膜，制成了Rubrene掺杂质量比分别为x=1wt%、0.5wt%和0.1wt%的三种器件： ITO