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4.3 场效应管放大电路 4.3.1 FET的直流偏置电路及静态分析 1.直流偏置电路 FET是电压控制器件，因此它需要有合适 的栅极电压。通常有以下两种偏置方式： a.自偏压电路； b.分压器式自偏压电路。 (1)自偏压电路 如图所示，考虑到 耗尽型FET即使在VGS=0 时，也有漏源电流流R， 而栅极是经电阻Rg接地 的，所以在静态时栅源 之间将有负栅压:VGS = -?D R。电容 C对 R起旁 路作用，称为源极旁路 电容。 (2)分压器式自偏压电路 这种偏压电路的特点 是适用于增强型管电路。 如图所示，静态时加在 FET上的栅源电压为 : 4.3.2 应用小信号模型法分析FET放大电路 如图所示的共源电路。图中rd通常在几 百千欧的数量级，一般负载电阻比rd小很多， 故可以认为其开路。 (1)中频电压增益 上式中的符号表示V0与Vi反相，共源电路 属倒相电压放大电路。 (2)输入电阻 Ri = rgs ||[Rg3+( Rg1+Rg2 )] 通常 rgs ? [Rg3+(Rg1|| Rg2 )] 故 Ri ≈ Rg3+ (Rg1|| Rg2 ) (3)输出电阻 R0≈ Rd 典型的共漏电路—源极输出器如图所示， 试求其中频电压增益Avm、输入电阻Ri 和输出 电阻R0。 解：下图中的中频小信号等效电路如图所示。 (1)中频电压增益 由上图知: 可见，当 gm(R||RL)?1时，Avm≈1,共漏极 电路属电压跟随器。和射极输出器的Av 相比， 可知FET的gm相当于BJT的 (2)输出电压 Ri≈Rg3+(Rg1||Rg2) (3)输出电阻 令Vs=0，保留其内阻Rs，将RL开路，在输 出端加一测试电压VT,由此可画出求共漏极电 路输出电阻 R0的电路，如下图所示。由图有 例题： 例: (南京航空航天大学2000年研究生入学 试题)场效应管是( )控制元件，而双极 性三极管是( )控制元件。 答案：(电压)，(电流)。 例: (北京交通大学1997年研究生入学试题) 在放大电路中，场效应管工作在( )区。 答案：(饱和区或恒流区)。 例: 一个场效应管的输 出特性如图所示，试分 析: (1)它是属于何种类型的 场效应管； (2)它的开启电压VT ( 或 夹断电压VP )大约是多 少？ (3)它的饱和漏极电流?DSS是多少? 解：由场效应管输出特性可看出， (1)VGS在正负电压一定范围内变化时，有 ?D 输出，所以视觉源栅N沟道耗尽型场效应管。 (2) VGS=-3V时， ?D=0, 所以VP= -3V。 (3) ?DSS≈6mA。 讨论： 根据特性曲线中，VGS=0时，iD不等于0， 而且，VGS可正可负，可以判断这个管子时耗 尽型绝缘栅场效应管；又根据VGS从负到正改 变时，iD 相应地有小到大改变，可见它是 N 沟道。夹断电压和饱和特性可直接从特性曲 线上看出。 例: 增强型MOS管和耗尽型MOS管的主要区别 是什么 ?增强型的场效应管能否用自给偏压的 方法的静态工作点？ 答：增强型 MOS 管的导电沟道是在VGS 增大 到开启电压VT 才接通，即有一定的栅源电压之 后，才有漏极电流?d;耗尽型 MOS管的导电沟道 是在 VGS= 0时已经形成，极栅源电压为零时才 有较大漏极电流?d,其VGS值可正可负。 增强型的场效应管不能用自给偏压的方法 获得静态工作点。 例: (北京航空航天大学1999年研究生入学 试题)如图中T 的 ?DSS = 2mA, VGS(off) = - 3V, 试求： (1)栅源电压VGS； (2)漏极电流?D； (3)漏源电压VDS； (4)低频跨导gm； 解：(1)由电路图可知： (2)场效应管为N沟道耗尽型，其转移特性曲 线可用近似公式表示为： 将已知条件代入，可得： (3) VDS可通过列出输出回路方程求