第2章 逻辑门电路讲解.ppt

* * * * 2．漏极开路门（OD门） OD门与TTL集电极开路门（OC门）对应，其特点是可以实现线与，可以用来进行逻辑电平变换，具有较强的带负载能力等。 小节提纲 3．CMOS三态门 备注 EN A Y = A′ Y 0 0 1 0 1 1 X Z 高阻态 当EN=0时， 同时导通,为正常的非门，输出: 当EN=1时， 同时截止，输出: 高阻态Z 小节提纲 4．CMOS传输门 工作原理：（设两管的开启电压VTN=|VTP|＝2V，VDD=10V） 0V 10V 2V 8V T1导通 T2导通 （1）当C接高电平VDD 为低电平0V时: 在0～VDD范围变化时， T1和T2至少有一个导通, 将输入传到输出, 相当于传输门导通. （2）当C接低电平0V 在0～VDD范围变化时， T1和T2都截止, 输入不能传到输出, 相当于传输门截止. 为高电平VDD 传输门逻辑符号 传输门的导通电阻小于1k? 小节提纲 CMOS模拟开关的电路和逻辑符号 模拟开关的电路 模拟开关的符号 小节提纲 章首 2.4.5 CMOS集成门系列简介 CMOS系列性能比较 小节提纲 作业题号 题2-2 题2-5 题2-6 题2-7 题2-8 题2-11 题2-12 题2-15 题2-13 题2-19 因此 关断时间是指三极管由正向导通转为反向截止所需的时间，即关闭时间 题2-1 三极管的开关特性指的是什么？什么是三极管的开通时间和关断时间？若希望提高三极管的开关速度，应采取哪些措施？ 解：三极管在快速变化的脉冲信号的作用下，其状态在截止与饱和导通之间转换，三极管输出信号随输入信号变化的动态过程称开关特性。 开通时间是指三极管由反向截止转为正向导通所需时间，即开启时间 （是三极管发射结由宽变窄及基区建立电荷所需时间） 三级管的开启时间和关闭时间总称为三极管的开关时间，提高开关速度就是减小开关时间。因为有 的大小是决定三极管开关时间的主要参数。所以为提高开关速度通常要减轻三极管饱和深度。 （主要是清除三极管内存储电荷的时间） 习题与思考题 题2-2 试写出三极管的饱和条件，并说明对于题图2-62的电路，下列方法中，哪些能使未达到饱和的三极管饱和. 解：三极管的饱和判断条件为 所以，能使未达到饱和的三极管饱和的方法： 小于何值时，三极管T截止； =20，试求： （1） （2） 大于何值时，三极管T饱和； 解： (1) 设三极管T的开启电压VBE=0.5V， 0.5V ,代人已知数值得： 因此 时，三极管T截止。 (2) 根据三极管T饱和条件： 代人已知数值得： 题2-3 电路如图2-63所示，其三极管为硅管， 则VB0.5V三极管截止，有： 因此 时，三极管T饱和。 题2-4 电路如图2-64所示： （1）已知 =6V， =0.2V， =10mA，求电阻 的值。 （2）已知三极管的 =50， =0.7V，输入高电平 当电路处于 临界饱和时， 的值应是多少。 =2V （1） 代人已知数值得 (2) 临界饱和时 有 ，得 题2-5 为什么说TTL反相器的输入端在以下4种接法下都属于逻辑0？ (1)输入端接地。 (2)输入端接低于0.8V的电源。 (3)输入端接同类门的输出低电压0.2V。 (4)输入端接200 的电阻到地。 解： （2）因为TTL 反相器VIL(max)=0.8V,相当于输入低电平。 （4）因为TTL反相器接的输入端负载 则TTL反相器输出 为高电平，所以输入端接200 的电阻到地相当于接低电平。 (1)输入端悬空。 (2)输入端接高于2V的电源。 (3)输入端接同类门的输出高电压3.6V。 (4)输入端接10k 的电阻到地。 解： (1) 如果输入端A悬空，由下图TTL反相器电路可见，反相器各点的电位将和A端接高电平的情况相同，输出也为低电平。所以说TTL反相器的输入端悬空相当于接高电平。 题2-6 为什么说TTL反相器的输入端在以下4种接法下都属于逻辑1？ （2）因为TTL反相器 ，输入端接高于2V的电 源相当于输入高电平。(此时反相器输出低电平） （4）因为TTL反相器接的输入端负载 则TTL反相器输出低电平。所以输入端接 的电阻到地相当于接高电平。 题2-7 指出图2-65中各门电路的输出是什么状态（高电平、低电平或高阻态）。已知这些门电路都是74系列的TTL电路。 解：根据TTL反相器电路输入端负载特性：关门电阻 开门电阻 =0.7kΩ =2.0kΩ 同时考虑图中各逻辑门的功能特点: 题2-8 说明图2-66中各门电路的输出是高电平还是低电 解：根据CMOS门在输