2010微电子工艺复习提纲1.02.docVIP

2008级《微电子工艺》复习提纲 一、衬底制备 硅单晶的制备方法。 直拉法 悬浮区熔法 晶圆的处理工艺，晶圆晶向的表征方法。 切：沿（100）或（111） 磨：机械研磨，消除划痕 抛；化学抛光 理解最大固浓度的概念，硅的杂质源和掺杂特点。 固浓度，杂质B在晶体A中最大的溶解浓度，最大固浓度给杂质扩散设置了表面最大浓度；P 10^21 B 10^19 二、外延生长 外延的定义和外延的几种方法。 在晶格衬底上生长一层单晶膜；气相 固相 液相 四氯化硅氢气还原法外延制备硅的技术，理解温度、反应剂浓度、衬底晶向对生长速率的影响。书P186 温度：高温区，单位时间反应剂输运到衬底表面的数量，质量输运，实际外延温度；低温区，生长速率由化学反应快慢决定。 反应剂浓度：四氯化硅浓度较低时，硅原子释放速度远小于成长速度，化学反应控制外延生长速率；当四氯化硅浓度达到一定程度，硅原子释放速率大于生长速率，排列生长的速率控制外延生长速率。到四氯化硅浓度大于0.28时，只存在腐蚀反应。 衬底晶相：不同晶面的键密度不同，键合能力存在差别，对生长速率产生影响，键密度大，键合能力强，外延层生长速率就相对快。 理解硅的外延生长模型解释硅外延生长为平面生长技术。 书P184 平台 扭转 台阶 吸附原子在扭转位置最为稳定，在继续生长过程中，更多吸附原子会迁移到扭转位置，从而加入生长的薄膜中。 硅外延多晶与单