第六章电荷耦合器件CCD讲解.ppt

第六章 电荷耦合器件CCD a) CCD单元? b) CCD线阵列 CCD在结构上是许多小MOS电容器的集成。 三、CCD器件的工作条件及要求 每个CCD单元都是一个MOS电容器，所以它能储存电荷。 CCD的工作条件： MOS电容器处于没有达到反型状态前的深度耗尽状态。 CCD的工作要求： 信号电荷的存储时间小于热激发电子的存储时间，Δt ＜0.1s CCD电荷的注入 注入方式： 光注入：光生电荷构成光信号电流； 电注入：电注入直接输入信号电流，既可以是数字模拟处理系统的输入信号，也可以是其他光电器件的光电信号。 方式一是当用作信息存贮和处理时，通过输入端注入与信号成正比的电荷； 方式二是当用作拍摄光学图象时，通过光电转换系统把光学图象的照度分布转换成电荷分布，然后通过输入端注入到每一位势阱中。 CCD电荷的耦合 在提取信号时，需要将电荷包有规则地传送出来，这一过程叫做电荷耦合（转移）。 它是靠在时钟脉冲作用下不断改变各个电容器的栅极电压，以电荷耦合方式实现的。 基于势阱的有无和深度都取决于栅极的电位，通过不断地改变各栅极上的电位值，使栅极下势阱底抬高或降低，实现其中电荷包有规则、可控制地传输，直到输出端。 6.5 电荷耦合器件的特征参数 转移效率 电荷存储能力 暗电流 噪声 转移效率 η=Qn+1/Qn Qn+1转移到下一个势阱中的电荷数，Qn原势阱中的电荷数 原势阱剩中的电荷数Qn+1 – Qn 转移损失率ε=（ Qn+1 – Qn ）/Qn 转移损失率ε为 若电荷包转移了n次，总的转移效率为 暗电流 暗电流的根本起因在于半导体的热激发。 暗电流的危害有： ⑴　限制器件驱动频率的低频限。 ⑵　引起固定图像噪声。 措施： 完善工艺，提高晶体质量和降低工作温度。 噪声 CCD器件的噪声源主要有以下几类： 本征噪声： 包括与电荷存贮和转移有关的噪声，如暗电流噪声、转移噪声、体陷阱噪声； 外来噪声： 是与操作、输入和输出有关的噪声，如电荷注入和输出噪声等。 散粒噪声： 热激发和光激发引起的噪声。 １．用于小尺寸测量 2．大尺寸测量 3．微光测量中的应用 4.钢板表面缺陷在线检测应用 系统主要由CCD 相机、光源(LED线型光源)、并行计算系统、服务器和控制台组成 检测缺陷的尺寸、部位、类型、等级。 面阵相机适用于低速运动的钢板生产线检测，通常速度低于10m/s。 高速扫描的线阵相机可以检测速度为30m/s的钢板。 5． 用于光学文字识别装置 * 6.1 概述 6.2 CCD单元和线阵列结构 6.3 电荷耦合器件物理基础 6.4 CCD基本工作原理 6.5 电荷耦合器件的特征参数 6.6 应用 概述 6.1 概述及应用 电荷耦合器件简称为CCD( Charge Coupled Device) 一种固体平面成像器件。 基本功能是电荷的存储与转移。 体积小、重量轻、结构简单、功耗小、成本低、传输快、噪声小。 特点: 1 Al 2 SiO2 MOS电容的结构示意图 栅极 1、MOS电容器，即金属－氧化物－半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)电容器，由P型（或N型）Si层、SiO2层和金属层构成。 2、两个引出电极，两个极板分别由金属和半导体构成。金属上的电极称为栅极，半导体衬底上的电位一般加0伏。 3、MOS电容器工作时，在栅极和半导体衬底之间加有栅极电压Vg。 一、 MOS的结构 P(Si) 6.2 CCD单元与线阵列结构 二、 CCD线阵列结构 6.3电荷耦合器件物理基础 ①在金属层上施加正电压， 表面势Vs为正。 ②空穴耗尽层 ③ Vs随耗尽区的形成而升高，耗尽区深度随着栅极电压的升高而不断变宽。这种状态就是多数载流子的耗尽状态。在耗尽区，空穴的浓度几乎为零。 MOS电容器中多数载流子耗尽状态 ①当Vg进一步增大时，耗尽区达到深度耗尽状态。在表面处形成势阱（位阱）,形成了对电子的收集能力。 ②这种状态就是载流子的反型状态。 载流子的反型状态 反型状态开始时的栅极电压为阈值电压Vth 注意： 耗尽状态为非稳定状态，此时Vg＜Vth ； 反型状态为稳定状态，此时Vg＞Vth 。 结论:在深耗尽状态下，可进行电荷存储。 6.4 CCD器件基本工作原理 光路部分 测量系统组成 6.6 应用 被测对象长度L 用于微光测量