(微电子发现状与发展.docVIP

国内外微电子现状与发展 作者：庄吉 学号微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。微电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。微电子技术的发展和应用，几乎使现代战争成为信息战、电子战。它在国民经济、国防建设以及现代信息化社会中起着极其重要的战略意义。我国微电子产业与国际水平相比还属于幼稚工业，无论技术水平、产品水平还是综合实力都无法与发达国家同行的实力相抗衡。因此，探讨如何加快我国微电子产业发展很有必要。 半导体产品占有主导地位并且比所有电子工业市场的其他产品有更高的增长速度。在半导体产品方面, 存储器(DRAM) , 处理器(MPU) , 专用集成电路( ASIC) 和数字信号处理器(DSP) 是最具代表性的产品。 国外微电子的发展： 自1965年发明第一块集成电路以来，特别是过去的十年中，全球微电子产业一直处于高速发展的时期，推动着信息产业的高速发展。集成电路产业及其产品是带动整个经济增长的重要因素。集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25μm)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。1965年，Intel公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。自从20 世纪50 年代后期集成电路问世以来, 就一直追求在芯片上有更多的晶体管, 能够完成更多的功能, 从一代到下一代芯片的基本价格变化却很小, 这是由于较高的集成度导致完成每项功能的价格降低。这是驱动芯片发展的最基本动力。现在还在向更小的工艺发展。技术飞速的进步, 促使人们不断探究现代半导体器件最终的物理极限。 国内微电子发展： 早在1965年，我国的集成电路就开始起步，而此时世界上最著名的芯片制造商英特尔还没有成立。由于体制等众多的原因，我国在这一领域与国外差距越来越大。目前，我国集成电路产业已具备了一定的发展规模，形成了从电路设计、芯片制造和电路封装三业并举，与集成电路有关的主要材料、测试设备、仪器等支持业也相继配套发展，在地域上呈现相对集中的格局，京津、苏浙沪、粤闽地区成为集成电路产业较为发达的区域。。我国集成电路设计业在过去的几年中有了长足的进步，高等院校、科研院所、企业从事集成电路设计的单位越来越多。然而国内集成电路设计企业规模，设计人员的平均数量还未达到国际同类公司的水平。 微电子面临的问题： 制约因素之一技术：从技术的角度看，随着硅片上线路密度的增加，其复杂性和差错率也将呈指数增长，同时也使全面而彻底的芯片测试几乎成为不可能。一旦芯片上线条的宽度达到纳米（10?-9米）数量级时，相当于只有几个分子的大小，这种情况下材料的物理、化学性能将发生质的变化，致使采用现行工艺的半导体器件不能正常工作，摩尔定律也就要走到它的尽头了。 制约因素之二经济：从经济的角度看，正如上述摩尔第二定律所述，目前是20-30亿美元建一座芯片厂，线条尺寸缩小到0.1微米时将猛增至100亿美元，比一座核电站投资还大。由于花不起这笔钱，迫使越来越多的公司退出了芯片行业。看来摩尔定律要再维持十年的寿命，也决非易事。 可能的解决方案： 克服上述限制因素有以下两大主要途径: ( 1) 沿摩尔定律继续发展, 采用新技术进一步提高以CMOS 为基础结构的集成电路特性; ( 2) 另辟蹊径发展新原理纳电子器件和电路。 在采用新技术进一步提高CMOS集成电路特性方面: 为了在保证足够柵控能力的前提下, 避免柵绝缘层过薄的几何厚度, 柵绝缘层可采用高介电常数材料以增加其物理厚度, 如: 氮化硅、T a2O3 等。互连采用低电阻率金属( 如铜等) 替代金属铝, 同时采用低介电常数层间绝缘材料( 如多孔氧化硅) 替代SiO2 材料。 非硅微电子材料技术的发展：除采用硅（Si）材料发展微电子产品之外，在近几十年中，还研究开发了各种各样的非硅半导体材料来发展微电子产品。在硅之前，20世纪五、六十年代时，最早采用的是锗（Ge）材料。我国当时就开发生产过锗二极管和三极管，制造了第一批半导体收音机。在半导体产业的发展中，一般将Ge、Si称为第一代半导体材料，紧接着开发出化合物半导体，以砷化镓（GaAs）为代表。而将GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs及其合金等称为第二代半导体材料。近年来又发展了宽禁带（Eg2.3eV）半导体材料，包括SiC、ZnSe、金刚石和GaN等，将其称为第三代半导体材料。