射频推挽场效应晶体管振荡器.docVIP

射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率 图片：  描述：这是一个标准的推拉力振荡器的基础上，功率MOSFET晶体管。 图片：  描述： 图片：  射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率 随着电路显示在这里，您可以创造高频率的电磁波非常高的输出功率。 可能的应用实验，无线电力传输，射频转发器，特斯拉线圈等。依赖于线圈，电容器和冷却的晶体管的输出功率在20W的范围和更可以得到。 在很短的距离，其他电子电路可能会受到干扰甚至摧毁。广播 RFID技术，防盗，无线局域网，医疗器械（心脏起搏器！ ）可干扰大面积！ 从来没有经营这条赛道上没有采取预防措施！ 这可能是非法操作在你的国家！ 组成部分的值： 工作电压为15V直流 如果您希望使用较小的工作电压，则必须增加R2和R3的。振荡开始时压降的R2响应。 R3的达到了MOSFET的thresold电压，约。 4 ..至6V 场效应管： IRF510 受体1 ，的R4 100,000 R2的， R3的27K 100u C1选择您想要的频率 C2 ，补体C3加州10 ％的C1 素D1 ， D2类15V Z型二极管 阿PushPull振荡器需要一个线圈的中心抽头。对于我的测试中我用12打开1毫米绝缘铜线，直径约40毫米。 该中心抽头连接到PAD1 频率范围从200kHz至10MHz时生成使用此线圈。 共振频率的计算方法是（约） 重要的！ 电容器，特别是的C1应低ESR ，不然他们将会升温和被摧毁！ 发光二极管连接到一个小的接收线圈照亮了约20厘米的距离。在10厘米，它成为热点，并最终被摧毁！