常用电子元件识别和检测.ppt

放大区：发射结正偏和集电结反偏 IC=βIB 饱和区:发射结正偏、集电结也是正偏。IC不随IB变化，称为集电极饱和电流记作ICS ，ICS主要由外电路决定。 三极管相当于开关的接通 截止区：发射结反偏，集电结反偏，IB=0、IC=ICEO≈0； 三极管相当于开关的断开 三极管的三种工作状态（三个工作区域） 通常使用三极管两种方式： 1.是三极管工作在放大状态，利用IB对IC的控制作用，这是三极管在模拟电子技术中的应用； 2. 三极管工作在开关状态，利用三极管在饱和与截止两个状态之间转换，使三极管相当于一个受控开关，这是三极管在数字电子技术中的应用。 课堂练习：判断图示的各三极管工作在什么状态？并说明各三极管的管型。 放大NPN型 放大PNP型 饱和NPN型 截止NPN型 练习：下图三极管工作在放大状态，用电压表测出它们各电极的电位如图所示，试分别说出管脚名称、管型、组成的半导体材料。 基极：3脚 发射极：1脚 集电极：2脚 NPN型 锗管 基极：2脚 发射极：1脚 集电极：3脚 NPN型 硅管 基极：2脚 发射极：3脚 集电极：1脚 PNP型 锗管 四. 三极管的主要参数 2.交流电流放大系数β--三极管工作点附近集电极电流变化量与相应的基极电流变化量之比 2. 集电极---发射极穿透电流ICEO ICEO不受IB控制，且ICEO对温度变化较敏感，所以希望ICEO越小越好，以免影响放大电路的稳定性。由于硅管的ICEO远小于锗管，因此人们在多数情况下选用硅管。 3. 极限参数---三极管正常工作时，所允许的最大电流、电压和功率等 (1)集电极最大的允许电流ICM；工作时IC若超过ICM，三极管的β值将明显下降。β值低于额定值的三分之二时，三极管的特性将变差。 (2)集电极--发射极反向击穿电压V(BR)CEO；工作时，VCE应小于此值，以免击穿。若温度升高V(BR)CEO降低，应留有一定余量。 (3)集电极最大耗散功率PCM 使用中特别注意ICM和VCE决不能同时达到或超过规定的ICM和V(BR)CEO，否则它们的乘积将超过PCM很多，使三极管过热而损坏 三极管： IC不能超过ICM， 电压UCE不能超过U(BR)CEO， IC和UCE的乘积不能超过PCM， 三极管的安全工作区如图所示。 4.3 半导体元器件产品手册查阅 一. 半导体元器件型号命名方法 一般半导体器件的型号的命名由五部分组成 二.常用半导体二极管、三极管主要参数查阅 硅、NPN 100 6A 65W BD243C 硅、PNP 100 20~200 40~25 1500 1000 8550 硅、NPN 100 20~200 40~25 1500 1000 8050 硅、NPN 150 64~202 40~20 500 625 9013 硅、PNP 150 64~202 40~20 -500 625 9012 硅、NPN 20~200 100 5A 50W 3DD15B 硅、PNP ≥100 20~200 40 -500 300 3CG21C 硅、NPN ≥200 20~200 45 300 700 3DG12B 硅、PNP ≥200 20~200 35 -500 100 3CG14F 硅、NPN ≥250 20~200 ≤0.01 45 20 100 3DG6C 备注 　(MHz) 　　(μA) 　　　(V) 　(mA) 　 (mW) 型号 几种常见三极管的主要参数 1.　三极管的参数 ⑴、判别基极及类型　 　　（NPN？PNP？） （1K?挡） 将某一表笔（称之为第一支笔）碰某一电极，再用另一表笔去碰其它两电极，若测出 的阻值都很小或很大，对调表笔后又都变为很大或很小，则第一支笔所碰电极为基极。 且可确定管型。 例如黑笔（第一支笔）接b,红笔　　　　阻值小　　　　NPN管 　　确定基极后，在b、c间加人体电阻，看哪一次指针偏转大？ 　 大者黑笔为NPN管c极，红笔为e极； 或大者红笔为NPN管c极，黑笔为e极。 红笔（第一支笔）接b,黑笔　　　　 阻值小　　　 PNP管 ⑵、集电极c和发射极e的判别 2.　三极管的极性判别 第5节 单结晶体管及其触发电路 5.1 单结晶体管结构及工作原理 1.结构 B2 第二基极 B1 N 欧姆接触 接触电阻 P 发射极E 第一基极 PN结 N型硅片 (a) 示意图 单结晶体管结构示意图及其表示符号 (b) 符号 B2 E B1 2. 工作原理 ? UE ? UBB+UD = UP 时 PN结反偏，IE很小； PN结正向导通, IE迅速增加。 UE ? UP时 ? ? – 分压比(0.5~ 0.9) UP – 峰点电压 UD – PN结正向导通压降 B2 B1