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量子楔形的隧道谱之理论分析 陈兴威 李瑞东 (金华职业技术学院信息工程学院，浙江金华，321017) 摘要：本文利用简单势垒模型，通过直接求解薛定谔方程，导出了电子的隧穿系数公式，形象地描述了量子楔形与扫描隧道显微镜之间的隧道谱特性。考虑有限温度下费米面的模糊以及能级分裂后，可平缓能级附近电流的突变，使理论曲线更加接近于实验。但是，在偏压为负的情况下，隧穿电流还有待进一步的修正。 关键词：量子楔形; 透射系数; 隧道谱; 波函数 中图分类号：O04 文献标识码：A Theoretical Analysis of the Tunnel Spectroscopy on a Quantum Wedge CHEN Xing-wei and LI Rui-dong (Information Engineering Institute, Jinhua College of Profession and Technology, Jinhua, Zhejiang, 321017) Abstract: Using simple potential barrier model, we obtain the penetration coefficient formula by solving the Schr?dinger equation directly, which describes the characteristics of the tunnel spectrum between the quantum wedge and Scanning Tunneling Microscope well. Considering Fermi distribution will deflective in limited temperature and atom energy level will split, the tunnel current nearby energy level will more smooth, which makes for the theoretical curves agree with the experiment curves much more, but the tunnel current need to be corrected farther under the negative tip bias condition. Keywords: quantum wedge, penetration coefficient, tunnel spectroscopy, wave function 1. 引言 表面结构的研究一直是表面物理的最基本问题之一。自从扫描隧道显微镜[1~3]（Scanning Tunneling Microscope/STM）问世以来，在实空间测定精细表面结构成为可能。最近，I.B.Altfeder, K.A.Matveev和D.M.Chen等人通过实验展示了一种测定埋层结构的非损伤性方法[4]。他们用分子束外延法[5]制作了一个铅薄膜量子楔形(通常我们把原子层数阶梯变化厚度仅为纳米量级的金属楔形称为量子楔形)。如果对边界条件加以一定的限制，局域在量子楔形中的电子波函数应包含有真空界面和埋层界面的信息。因此，通过分析楔形中量子化的电子必定可以了解到埋层界面的一些信息。这样，对于非暴露形界面进行非损伤性测量成为可能。而量子化的电子其性质在一定程度上决定着STM与量子楔形表面之间的隧穿电流，在STM偏压变化的过程中，测定隧穿电流或探针位置的相应改变，这些测量可以得到关于表面电子态结构和隧穿过程的信息。所以对量子楔形中隧穿电流性质的研究显得很有必要。 在文献[4]中，Altfeder等人在实验上测得了量子楔形与扫描隧道显微镜之间一系列的隧道谱曲线，如图1所示。 图1 不同量子化台阶数目处的I-V曲线图 Fig.1 The I-V curves with different quantum steps 2. 隧道谱理论分析 下面，我们从量子力学基本原理出发，利用简单势垒模型，通过直接求解薛定谔方程，来导出电子的隧穿系数公式。 (1)当针尖偏压V为正时，电子隧穿势垒模型如图2(a)所示： 图2 (a) 电子隧穿势垒（） 图2 (b) 电子隧穿势垒（） Fig.2(a) A tunneling potential barrier(V0) Fig.2(b) A tunneling potential barrier(V0) 针尖与量子楔形表面之间的势垒