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(电子能谱分析
2.2.4实验技术 1 样品制备： 导电的样品不需特殊处理， 导电性不好的样品需电镀解决荷电问题。 测定前需对样品进行表面清洁， 晶体解理暴露新裂开的晶面、离子溅射 粉末样品用胶带贴上或压片， 气态或液态样品用液氮冷冻。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2 Ar+离子溅射，不仅可以清洁表示，还可用于深度分析。 3 采样深度与俄歇电子的能量和材料有关， 一般金属为0.5－2nm， 无机物/有机物为1-3nm。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.2.5应用 1 定性分析 定性分析是根据直接谱或微分谱上负峰的位置进行元素的定性分析，与标准谱相对比，可在《俄歇电子谱上册》等资料中查到。测定时可以自动标出。 2 定量分析： 定量分析精不高，一般只能做半定量分析（精度仅为30%左右，适当的校正可以使精度达到5%左右）。但如果能正确估计俄歇电子的有效深度，则精度可提高，但总的说来，AES不是一种很好定量分析方法。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 定量分析方法常用相对灵敏因子法（归一化法） ci—第i种元素的摩尔分数（相对值）；Ii——AES信号强度；Si——相对灵敏度因子（与Ag相比，可查到） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Element O V Au Si Na Wt% 39.77 60.23 11.32 22.89 02.06 At% 67.76 32.24 01.74 24.66 02.71 通过表中V/O可以得知几乎接近1/2，可见通过以上工艺可成功的制得二氧化钒薄膜 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 由于俄歇电子能谱涉及到三个能级，任何变化都能引起俄歇电子能量的变化，因此AES的化学位移较大。 下图是TiO2薄膜/铝合金中不同深度的O 元素KLL俄歇电子的AES谱图， 509.2ev是TiO2中O的KLL俄歇电子的动能， 而Al2O3中O的KLL俄歇电子的动能是502.5ev，O的KLL向低能量变化，说明在TiO2与Al的界面上生成Al2O3、而Ti的俄歇电子能量在不同深度没有变化，则说明Ti都是TiO2形式存在，未与Al发生反应 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 元素的深度分析 AES深度分析是俄歇电子能谱最有用的功能之一，通常是采用Ar+离子溅射样品表面，在表面上剥离出一定深度，获得不同深度分析，常用500ev－5Kev离子束为溅射源。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose P
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