数字集成电路设计作业2.docx

5-1 假设电路中的电流由下式给出：如果电压Vref由精准的电压基准源提供，且不随温度变化。利用电阻温度系数确定电流温度系数。假设电阻采用N阱制作，参考图5-1绘制电流随温度的变化曲线。使用表4-1中给出的TCR1。解：又，代入上式得：查表4-1知，TCR1=2400ppm/℃ =0.0024/℃,故作出图像如下：5-5 假设器件长L为2，叉指宽度W为20，估算图5-18所示版图中源/漏区的面积和周长。解：由图5-18，可以确定漏区为漏与各个栅之间的方块部分，即第一、二个栅之间所夹的部分和第三、四个栅之间所夹的部分。源区为剩下的部分。估算源区面积为：漏区面积为：单位为方块面积。估算源区周长为：漏区周长为：单位为单位长度。5-6 参考对图5-21中NMOS器件的讨论，定性讨论PMOS器件的电容。要确保对PMOS器件工作在强反型和耗尽区时的描述清晰。（对照图5-21）绘制PMOS器件的等效图。解：(1)给PMOS器件栅极提供一个负向电压，并保持源和漏的电位与衬底一致(地电位)。施加电压后吸附了栅氧化物下方的空穴，形成一个空穴的连续沟道，可以有效的将源/漏中的注入区域短接在一起。从栅极到地的电容为：,此时该器件工作在强反型区如图1所示（氧化物的电容不依赖于空穴横向扩散的程度）。在栅极加正向电压，抵制空穴，阻止通道的形成，P+区的载流子在N阱里扩散，扩散长度为，栅极电容形成：,其中，，这两个电容称为CGDO和CGSO，。这种条件下，PMOS管工作在耗尽区，如图2所示。6-1画出图6-20所示电路的vout（AC）的幅值和相位。假设MOS管是采用50nm工艺（见表5-1）制备而成的，并且工作在强反型区。用SPICE验证你的答案。解：由于MOS管工作在强反型，等效于电容。又查表5-1知，有：故：，，，仿真结果如图：6-4 如果MOS 管的栅氧化层的厚度为40，那么为多少？解:有：将，，代入上式得：6-9 如果在栅氧化层-半导体界面处钠离子的污染浓度为100钠离子/，那么习题6-8中的阈值电压会发生什么变化？解：由习题6-8知，没有钠离子污染时，阈值电压为0.8V，又由例6-4可知，有钠离子污染时，阈值电压：6-15 证明图6-21所示的串联连接的MOS管工作起来与长度为单个MOS管长度两倍的单个MOS管相当。同样忽略体效应。解：假设两个MOS管都工作在线性区，对M1，有也即同理，对于M2，有：也即故有：就是长度为（）的MOS管从漏端到源端的电流表达式。当时，10-5 对于图10-25所示的电路，试估算其输入与输出之间的延迟。采用50nm（短沟道）工艺。用SPICE验证估算结果。解：a)查表10-2可知，估计延时为：仿真如下：b)同理Rn=3.4K+3.4K =6.8K 仿真如下：c)仿真如下：d)仿真如下：