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15、量子点激光器(QD-LD) 16、有机半导体激光器(OLD) 17、半导体激光放大器(SLA) 18、APD光电探测器 32、PIN光电探测器 19、蓝宝石衬底图形技术(PSS) 20、集成电光调制器 21、湿法刻蚀技术 22、激光刻蚀技术 23、软光刻技术 24、全息光刻技术 25、 CCD成像技术 26、薄膜溅射工艺技术 27、PECVD工艺技术 28、离子束光刻技术 29、极紫外(EUV)光刻技术 30、量子线激光器 31、有机发光二极管(OLED) 33、GaAs工艺技术 34、硅双极型工艺技术 35、双极-CMOS兼容工艺技术(BiCMOS) 36、SCALPEL电子束光刻技术(限角投影散射式,步进且扫描) 要求:论文格式应规范,3000字左右(图不计字数),并列出参考文献目录,其中必须至少有1篇相关英文参考文献,正规参考文献不少于3篇。必须自己撰写,文字部分15分,抄袭/COPY比例超过10%计为O分,ppt演讲10分。 要求论述全面、重点突出、思路清晰、表述流畅、准备充分。 第二章 激光谐波技术 2.1 非线性光学效应 2.2 激光倍频与相位匹配技术 2.3 激光参量放大与振荡 讨论: △k=0 倍频信号最强 Dk = k2 - ( k1 + k1 ) =0 (相位匹配条件) π -π 2π -2π -3π 3π △k≠0,若△kd/2=π 时下降到零。 定义:dc=π/△k为 相干长度。 如何实现相位匹配? ω ω 2ω ω 2ω 2ω dx L X X 3、相位匹配技术 即:将基频光以特定的角度θ和偏振态入射到倍频晶体,利用倍频晶体本身的双折射效应抵消色散效应,可实现相位匹配的要求。 为此要补偿介质中必然存在的色散效应,发明了角度相位匹配方法。 能量守恒: 动量守恒: 2w w w 由波矢与相速度关系k=ω/ V,得:在2kω =k2ω 时,有Vω=V2ω 而 Vω=c/nω, V2ω =c/n2ω ,则必须满足:nω= n2ω (无色散) 表明在倍频晶体中,1)基频光波和倍频光波的等相位面具有相同的速度,保证了相位关系在整个运动过程中始终不变。2)是一种与空间坐标无关,并且相位差恒定的相干过程,倍频光波将得到同步叠加、干涉增强。 I型匹配: 正单轴晶体 负单轴晶体 e e e o o o ee-o θ oo-e θ w 2w 按基频光电场偏振态的配置方式分:平行式( I 型)和正交式(II型)。 II型匹配: eo-o oe-e 正单轴晶体 负单轴晶体 o e e e o o θ θ 2w w 上述匹配由于其匹配方向对角度很敏感,故称为角度匹配。 其实现方式有以下两种: 1)腔外倍频: 2) 腔内倍频: 结论:正常色散造成的失配在以上方式所引入的双折射效应中得到补偿, 从而达到相位匹配的目的。 相位匹配的方法: 1)角度匹配:I型、II型 2)温度匹配 1)角度相位匹配 角度相位匹配就是使参与非线性相互作用的光波,在非线性介质的某个特定 方向上传播,该方向上基频光和倍频光波的折射率相同。 引入倍频离散效应(光孔效应) 由于双折射效应,o光和e光的光线在传播方向上不可避免地要产生分离。 倍频离散效应将给倍频效应带来负面影响:1)光斑拉长后造成功率密度降低,而导致倍频光的输出特性变差;2)导致倍频转换效率降低。 即: 在θ=90°时,匹配对角度不敏感,且无双折射,不产生离散。 通过温度调节晶体折射率可得: n2e(90°)=n1o θ n2e n1o 2w w 2)温度匹配 为了克服倍频离散效应,可采取另一种相位匹配的方法—温度相位匹配。 这种实现方向上的相位匹配方法,称之为温度匹配,也称为非临界相位匹配,实现90°相位匹配所需的温度,称为相位匹配温度。在非临界相位匹配条件下,倍频离散效应不再存在。 入射激光和非线性晶体光轴之间的夹角 当夹角满足相位匹配时,输出倍频光 入射激光 基频 倍频 主要由以下三部分组成: 1)产生基频光的激光器; 2)倍频晶体; 3) 相位匹配系统。 光学倍频实验系统 倍频工作物质的选择: 必须满足以下条件:1)宽的透明波段(应对基频光和倍频光透明); 2)具有较大的非线性极化系数; 3)适当的双折射(能以一定的方式实现相位匹配); 4)较高的抗光强损伤的能力(一般1MW/cm2); 5)稳定的物理化学性能。 光学倍频系统原理光路: 2.3 激光参量放大与振荡 1、基本概念 两束不同频率的光(ωp、ωs)入射到非线性晶体上,将产生频率不同的 极化行波(ωi)。如果极化行波在晶体中传
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