非平衡载流子讲解.ppt

例1：样品足够厚时 Lp表示空穴在边扩散边复合的过程中，减少至原值的 1 / e 时所扩散的距离，即 ?p ( x + Lp) = ?p ( x ) / e 表面处的少子扩散流密度 如同表面的空穴以 DP / LP 的速度向内运动一样 例2、样品厚度为W 扩散流密度为常数，说明非平衡载流子在样品中没有复合。 3、电子的扩散定律与稳态扩散方程 4、扩散电流与漂移电流 考虑探针注入情况： 与平面的情况相比多了Dp / r0一项，当r0Lp时几何形状所引起的扩散的效果是很显著的。 §5.7 爱因斯坦关系 连续性方程 1、爱因斯坦关系 迁移率反映了载流子在电场作用下运动的难易程度 扩散系数反映了存在浓度梯度时载流子运动的难易程度 对热平衡、 非均匀、 n型半导体: 求导得 上式为爱因斯坦关系式，此式表明非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系，可直接用于非平衡载流子。 对非均匀半导体，电流密度方程式为 （2）连续性方程： 在n型半导体的表面光注入非平衡载流子，同时加一x方向的电场E，则少数载流子空穴将同时作扩散运动和漂移运动。 所以，空穴浓度不仅是x的函数，而且随时间t 变化。运动方程为： 若表面光照恒定，且gp=0，则 p 不随时间变化， 即 此时的方程为稳态连续性方程 假定材料均匀 p0与x无关，电场是均匀的 则 小注入条件：△n和△p 平衡多子浓度 非平衡载流子 非平衡少数载流子 二、产生过剩载流子的方法 光注入 电注入 高能粒子辐照 … 注入的结果 产生附加光电导 光照停止，即停止注入，系统从非平衡态 回到平衡态，电子-空 穴对逐渐消失的过程 即： △n = △p 0 三、非平衡载流子的复合 §5.2 非平衡载流子的寿命 1、非平衡载流子的寿命 在小注入条件下， 2、寿命的意义 §5.3 准 费 米 能 级 非平衡态的电子与空穴各自处于热平衡态 准平衡态，但具有相同的晶格温度： 对于非简并系统 Ec EFn EF EFp Ev §5.4 复 合 理 论1、载流子的复合形式： （1）直接复合 （2）间接复合 Ec Ev 放出能量的方法 1. 发射光子 —— 发光复合或辐射复合 2. 发射声子 —— 将能量传递给晶格，加强晶格振动 3. 将能量传递给其他载流子 ，增加其动能——俄歇复合 2、带间直接复合： 复合率 R = r n p 其中，r是电子空穴的复合几率， 只与温度有关，与n和p无关。 热平衡时产生率 G 和复合率 R 相等： G = G0= R0 = r n0 p0 = r ni2 因而净复合率 Ud = R - G = r（n p - n0 p0) ≈ r（ n0+ p 0 ） ⊿p + r（ ⊿p )2 n = n0 + ⊿n p = p0 + ⊿p 所以，过剩载流子的寿命 3、间接复合：通过杂质或缺陷能级Et而进行的复合 （1）俘获与发射： Nt ：复合中心的浓度 nt：复合中心能级Et上的电子浓度 Nt- nt ：未被电子占据的复合中心的浓度 在非平衡时 复合中心对电子的净俘获率 Un = Rn – Gn 复合中心对空穴的净俘获率 Up = Rp - Gp 在稳态时： Un = Up 稳定时 Rn + Gp = Rp + Gn （2）非平衡载流子的净复合率U U = Rn – Gn = Rp - Gp 可见： （1）在热平衡时，np = n0 p0 = ni2 U = 0 （2）在非平衡时，np n0 p0 = ni2 U 0 而非平衡载流子的寿命为 在小注入下，关于寿命的讨论： 将所求各式代入U的表达式可得 (3)俘获截面 利用这个关系，各有关公式都可以用俘获截面来表示 假设复合中心为截面积为 的球体 例如 ：金在硅中是深能级杂质，有双重能级 Ec Ec Ev Ev EF EF EtA EtD n型硅 p型硅 0.54eV 0.35eV { } 金在硅中的两个能级并不是同时起作用的 少量的有效复合中心