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* 结构中间有一层窄带隙N型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后，P层的空穴和N层的电子注入有源层。P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。 * 面发光二极管中，有源发光面与光纤轴垂直。这种结构中，在器件的衬底腐蚀了一个小孔，然后用环氧树脂材料固定插入小孔的光纤，这样能以尽可能高的效率接收发射出来的光。 朗伯光源：各个方向上的亮度(光功率密度)都相同，因此，每个角度的光功率与观察方向角相关，令I为功率密度，方向角对应的空间面积为dAd{omg}cosq * 边发光二极管由一个产生非相干光的有源结区和两个导光层组成。导光层的折射率要低于有源区，但比周围的材料折射率高。这种结构形成了一个波导通道，使辐射光的出射方向朝向光纤的纤芯。边发光二极管要比面发光二极管具有更好的方向性，主要体现在边发光二极管的与pn结垂直方向上的光的方向性好。缺点是需要较大驱动电流，且发光功率低。 不同的材料具有不同的带隙结构，可以产生不同的波长，可应用于不同的系统 * * 发光二极管发射的是自发辐射光，没有谐振腔对波长的选择，谱线较宽，如图4.2.5。一般短波长GaAlAs/GaAs LED谱线宽度为30~50 nm，长波InGaAsP/InP LED谱线宽度为60~120 nm。随着温度升高或驱动电流增大，谱线加宽，且峰值波长向长波长方向移动，短波长和长波长LED的移动分别为0.2~0.3 nm/℃ 和0.3~0.5 nm/℃。 * * 发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数，一般外微分量子效率小于10%。两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图4.2.4。驱动电流I较小时，P-I曲线的线性较好；电流过大时，由于PN结发热产生饱和现象，使P-I 曲线的斜率减小。在通常工作条件下，LED工作电流为50~100mA, 输出光功率为几mW，由于光束辐射角大，入纤光功率只有几百uW。 * 工作电流过大会发生饱和 * * 基本的光学谐振腔由两个反射率分别为100%和90%-95%的平行反射镜构成(如图4.1.0.3所示) 。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为入射光。入射光经反射镜反射，沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向的光被减弱。反射光经多次反馈，不断得到放大，方向性得到不断改善，增益大幅度得到提高。 * * * * 宽带长途传输系统的应用要求光源只输出一个波长而且要求谱宽很窄 * 宽带长途传输系统的应用要求光源只输出一个波长而且要求谱宽很窄 * 分布布拉格反射 (DFR) 激光器 - DBR激光器是将光栅刻在有源区两端 - DBR激光器的特点和工作特性与DFB激光器类似，但其阈值 电流要比DFB激光器的阈值电流高 进悸腆暂狄咆见加荆豺变赦歌咕丸擞姨磨痞讶灯么督猴秦离国污慧碟韶悦半导体LD原理半导体LD原理 内量子效率一般很难准确确定，长期的测试经验表明，在室温条件下，内量子效率一般为hint ≈ 0.6~0.7。 于是外量子效率可以通过下面的式子来定义： 在实际的实验中，外量子效率一般通过P-I曲线的直线部分来估算，即： 标准的半导体激光器，外量子效率典型值为15%~20%。 激光器的量子效率* 选甜凉谆份蛙股坯呐彤觉击条晰贼斡毛景乔烤泉荣脯狂扯鹿诣谤屉涤模拷半导体LD原理半导体LD原理 内调制：信息流直接控制激光器的驱动电流 ( 40GHz) 调制 外调制：使用调制器(如MZM)对输出的光信号进行调制 激光器的调制技术 内调制速率限制：自发/受激辐射载流子寿命 信号啁啾 哟惮材僵灼鸥会特孽裔裂隋成玛获胸探獭赘香勇菏硅桑吃摆垛衣湃败哉挟半导体LD原理半导体LD原理 内调制基本依据：P-I曲线 例：OTIP的超短脉冲光源U2T TMLL 1550 阈值电流在40 mA左右 LD的调制是通过改变其 驱动电流的办法实现的 腮毗帚雀朝楔憾美仙隋殉粒撩谜贡侠奴鸭罐材臻摹与醇蔗严药既难瀑功傍半导体LD原理半导体LD原理 若在每次脉冲调制之后都完全停止发光，会产生码型效应。因 为在电脉冲开始作用时，激光器需要一个时延来获得足以克服 光损耗的增益。这个时延由自发载流子寿命决定。 内调制速率限制：电光时延 解决办法是在LD上持续加一个IBias = Ith，但会降低消光比 咎女莱喘究夕巳递罕日郊盟星箱此刁呜扇胡渔沏从桓桐况渐潦迁专浸榔摈半导体LD原理半导体LD原理 激光场的张弛振荡频率为： 直接调制频率需小于张弛振荡频率。否则，数字调制要产生张弛振荡，模拟调制要产生非线性失真。