芯片参考生产和制造.doc

自1948年Bell实验室发明了第一个晶体管以来，半导体制造工艺发生了巨大的变化。这里简要叙述了现代集成电路制造工艺所采用的步骤和技术。 第一个晶体管，Bell Lab 1948 　　硅圆片。制造工艺的基础是一个单晶轻掺杂圆片。这些圆片的典型直径在4~12 　　图10概述了简单的CMOS工艺流程.图11给出了更详细的工艺步骤。制造过程包括沉积、掩模、刻蚀、注入等步骤。加工后的晶片被切成小片（芯片）并进行封装。 简化的CMOS工艺流程  　　下面给出了制造过程中工艺步骤的细节： 　　掩模。半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能精确套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版，简称光掩模版。光掩模版是光刻工艺中复印光致抗蚀掩蔽层的“印相底片”。随着大规模集成电路工艺技术的迅速发展，对光掩模版的质量，包括各种掩模精度、缺陷密度和掩模版的耐用性能等都提出了极高的要求。光掩模制作技术大体上可分为传统的刻图缩微制版技术系统、计算机辅助设计、光学图形发生器自动制版技术系统和以电子束扫描成像为代表的各种短波长射线成像曝光技术系统。 　　光刻。在每一个工艺步骤中，芯片的某些区域采用合适的光掩模遮蔽起来，从而使所需要进行的工艺步骤能够有选择地应用在芯片其余区域。实现这种选择性掩蔽的技术称为光刻。这一工艺步骤可以用于很广泛的目的，包括氧化、刻蚀、金属和多晶硅淀积以及离子注入。 　　光刻工艺有下列几个步骤：氧化层；涂光刻胶；光刻机曝光；光刻胶的显影和烘干；酸刻蚀；旋转、清洗和干燥；离子注入、等离子刻蚀或者金属淀积等各种工艺加工步骤；去除光刻胶（沙洗）。如下图所示。 一个光刻过程的典型操作步骤 　　扩散和离子注入：工艺的许多步骤需要改变材料某些部分的掺杂浓度，如源区、漏区、阱和衬底接触的形成，多晶掺杂以及器件阀值的调整。引入这些掺杂剂可以采用两种工艺—扩散和离子注入技术。 　　淀积：工艺的过程中需要在整个圆片表面上反复淀积材料层，作为一个工艺步骤的缓冲层，或作为绝缘层和导电层。例如圆片上的SiO2层、多晶和铜互连的淀积等。 　　刻蚀：材料一旦淀积之后，可以用有选择的刻蚀来形成如连线或接触孔这样的图形。包括采用酸或碱溶液的湿刻蚀工艺，和干法或等离子刻蚀。 　　抛光：现代CMOS工艺中有很多形成图形的金属互连层一层叠一层，需要在淀积之前有一个化学机械抛光的步骤。 　　设计规则 　　设计规则可以看成使对集成电路制造过程中所使用的光掩模制备方面的规定。版图规则的主要目的使在尽可能小的面积内制作功能可靠的电路，设计规则为设计者规定了版图设计过程中的几何尺寸约束，从而使制造过程中的电路图案能够保持所设计的拓扑结构和几何结构。 　　集成电路封装 　　封装对器件的工作和性能起着极为重要的作用，除了提供信号及电源进出芯片的界面之外，还能移去由电路产生的热并为芯片提供机械支持，以及保护芯片免受如潮湿等外部环境的影响。 CPU制造全过程：一堆沙如何变成集成电路 ［?作者： ???来源：泡泡网 ???发布时间：2007-07-09 17:03:00???进入社区?］ 　　本文一步一步地为您讲述中央处理器（CPU）是如何从最初的一堆沙子到最终变成一个功能强大的集成电路芯片的全过程。这个制作过程的技术含量非常高！ 　　CPU(Ce ntralprocessingunit)是现代计算机的核心部件，又称为“微处理器（Microprocessor)”。对于PC而言，CPU的规格与频率常常被用来作为衡量一台电脑性能强弱重要指标。Intelx86架构已经经历了二十多个年头，而x86架构的CPU对我们大多数人的工作、生活影响颇为深远。 一代一代经典的CPU 　　许多对电脑知识略知一二的朋友大多会知道CPU里面最重要的东西就是晶体管了，提高CPU的速度，最重要的一点说白了就是如何在相同的CPU面积里面放进去更加多的晶体管，由于CPU实在太小，太精密，里面组成了数目相当多的晶体管，所以人手是绝对不可能完成的，只能够通过光刻工艺来进行加工的。这就是为什么一块CPU里面为什么可以数量如此之多的晶体管。晶体管其实就是一个双位的开关：即开和关。如果您回忆起基本计算的时代，那就是一台计算机需要进行工作的全部。两种选择，开和关，对于机器来说即0和1。那么您将如何制作一个CPU呢？在今天的文章中，我们将一步一步的为您讲述中央处理器从一堆沙子到一个功能强大的集成电路芯片的全过程。（由于CPU的制作过程技术含量太高，小编能力有限，图片与介绍都来至互联网收集）。本